[發明專利]磁場傳感器

無效

• 申請號: 201310032510.2
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN103226000A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: W·梅納特;T·泰爾
• 申請（專利權）人: W·梅納特;T·泰爾
• 主分類號: G01B7/30
• 分類號: G01B7/30;G01B7/00
• 代理公司: 北京金思港知識產權代理有限公司 11349
• 代理人: 邵毓琴

1.一種用于位置換能器的磁場傳感器，該磁場傳感器具有至少三個霍爾元件（6），包括用于所述磁場傳感器的輸出信號的處理和控制電子裝置以及永磁體激勵陣列（2；11；12），所述永磁體激勵陣列的磁場方向由所述霍爾元件（6）來檢測，這些霍爾元件在具有相互距離的情況下形成并定位在半導體IC（5）上，使得它們的有效表面位于與所述半導體IC（5）的上表面平行的公共平面上，由鐵磁性材料構成的一個單個偏轉本體（4）被布置成使得從所述永磁體陣列（2；11；12）發射的、在沒有所述偏轉本體（4）的情況下將與所述霍爾元件的有效表面的公共平面平行地延伸的場線接收垂直地穿過這些有效表面的至少一個方向分量，其特征在于，

所述偏轉本體（4）作為與所述半導體IC（5）分離的獨立元件制造和安裝，并且所述半導體IC（5）的表面上的所述霍爾元件的相互距離包括所述霍爾元件（6）自身的最大長度的多倍。

2.根據權利要求1所述的磁場傳感器，其特征在于，所述偏轉本體（4）為板狀，并且以如下方式布置，即：其平面表面中的一個平面表面面向所述半導體IC（5）的承載所述霍爾元件（6）的表面并且與該表面近似平行地延伸。

3.根據權利要求1或2所述的磁場傳感器，其特征在于，所述板狀的偏轉本體（4）布置在所述半導體IC（5）的殼體上。

4.根據權利要求2或3所述的磁場傳感器，其特征在于，所述板狀的偏轉本體（4）的面向所述半導體IC（5）的承載所述霍爾元件（6）的表面的平面表面完全覆蓋所述霍爾元件（6）的有效表面。

5.根據權利要求4所述的磁場傳感器，其特征在于，所述板狀的偏轉本體（4）的面向所述半導體IC（5）的承載所述霍爾元件（6）的表面的表面完全覆蓋所述半導體IC（5）的該表面。

6.根據權利要求2至5中任一項所述的磁場傳感器，其特征在于，所述板狀的偏轉本體（4）插在承載所述磁場傳感器的電子部件的板材（3）中的開口內。

7.根據前述權利要求中任一項所述的磁場傳感器，其特征在于，所述偏轉本體（4）在與所述半導體IC（5）的表面垂直的方向上具有至少0.2mm的厚度。

8.根據前述權利要求中任一項所述的磁場傳感器，其特征在于，所述偏轉本體（4）的材料具有低剩磁。

9.根據前述權利要求中任一項所述的磁場傳感器，其特征在于，所述偏轉本體（4）的材料具有低抗磁力。

10.根據前述權利要求中任一項所述的磁場傳感器，其特征在于，所述偏轉本體的材料由鐵氧體構成。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的磁場傳感器，其特征在于，該磁場傳感器被構造成為用來檢測旋轉軸（1）的角位置的旋轉位置換能器，該旋轉軸（1）承載相對于該旋轉軸的旋轉軸線（R）對稱地安裝并與該旋轉軸一起旋轉的永磁體激勵陣列（2；11）。

12.根據權利要求11所述的磁場傳感器，其特征在于，該磁場傳感器還包括用來確定絕對轉數的韋根模塊（7）。

13.根據權利要求12所述的磁場傳感器，其特征在于，所述偏轉本體（4）以相對于所述半導體IC（5）的固定方式布置在所述霍爾元件（6）的有效表面的平面與所述韋根模塊（7）之間，以便將否則將與所述霍爾元件（6）干涉的所述韋根元件自身的磁場短路。

14.根據權利要求12所述的磁場傳感器，其特征在于，所述偏轉本體（4）以與所述旋轉軸（1）一起旋轉的方式安裝在所述旋轉軸（1）上，其中該偏轉本體（4）在所述半導體IC（5）的承載所述霍爾元件（6）的表面上的豎直投影具有圓形形狀。