[發明專利]薄膜晶體管結構及其陣列基板

有效

• 申請號: 201310032319.8
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN103474467A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 葉佳俊;蔡學宏;徐振航;陳蔚宗;辛哲宏
• 申請（專利權）人: 元太科技工業股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/02
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種薄膜晶體管結構，其特征在于，包含：

一第一柵極與一第二柵極，位于一基板上；

一柵介電層，覆蓋于該第一柵極與該第二柵極上；

一第一主動層與一第二主動層，分別位于該第一柵極與該第二柵極上的該柵介電層上，該第一主動層與該第二主動層的材料為金屬氧化物半導體；

一第一源極與一第一漏極，分別位于該第一柵極的兩側且連接于該第一主動層；

一第二源極與一第二漏極，分別位于該第二柵極的兩側且連接于該第二主動層，其中該第一柵極、該柵介電層、該第一主動層、該第一源極以及該第一漏極構成一第一晶體管，而該第二柵極、該柵介電層、該第二主動層、該第二源極以及該第二漏極構成一第二晶體管；以及

一第一保護層與一第二保護層，分別位于該第一主動層與該第二主動層之上，其中該第一保護層與該第二保護層的材料分別為氧化硅SiO_x與氧化硅SiO_y，且x>y。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該第一保護層的折射率為1.40-1.47。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該第二保護層的折射率為1.47-1.50。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該第一保護層的形成方法為化學氣相沉積法，其反應氣體一氧化二氮與硅甲烷的流量比大于120，且反應室的溫度大于150°C。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該第二保護層的形成方法為化學氣相沉積法，其反應氣體一氧化二氮與硅甲烷的流量比小于或等于120，且反應室的溫度小于或等于150°C。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該第一源極與該第一漏極位于該第一主動層與該第一保護層之間。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該第一源極與該第一漏極位于該柵介電層與該第一主動層之間。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該第二源極與該第二漏極位于該柵介電層與該第二主動層之間。

9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，該第一源極與該第一漏極位于該第一保護層與該第二保護層之間，且該第一保護層具有一第一開口與一第二開口以暴露部分該第一主動層，使該第一源極與該第一漏極可分別連接該第一主動層。

10.根據權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，x值的范圍為1.8-2.0及y值的范圍為1.4-1.8。

11.一種陣列基板，其特征在于，包含：

一基板；以及

一薄膜晶體管結構，包含：

一第一柵極與一第二柵極，位于該基板上；

一柵介電層，覆蓋于該第一柵極與該第二柵極上；

一第一主動層與一第二主動層，分別位于該第一柵極與該第二柵極上的該柵介電層上，該第一主動層與該第二主動層的材料為金屬氧化物半導體；

一第一源極與一第一漏極，分別位于該第一柵極的兩側且連接于該第一主動層；

一第二源極與一第二漏極，分別位于該第二柵極的兩側且連接于該第二主動層，其中該第一柵極、該柵介電層、該第一主動層、該第一源極以及該第一漏極構成一第一晶體管，而該第二柵極、該柵介電層、該第二主動層、該第二源極以及該第二漏極構成一第二晶體管；以及

一第一保護層與一第二保護層，分別位于該第一主動層與該第二主動層之上，其中該第一保護層與該第二保護層的材料分別為氧化硅SiO_x與氧化硅SiO_y，且x>y。

12.根據權利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，x值的范圍為1.8–2.0及y值的范圍為1.4–1.8。