[發明專利]一種基于有序納米線陣列的氣敏元件制備方法有效
| 申請號： | 201310032316.4 | 申請日： | 2013-01-28 |
| 公開（公告）號： | CN103101877A | 公開（公告）日： | 2013-05-15 |
| 發明（設計）人： | 岳雙林 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余長江 |
| 地址： | 100871 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 有序 納米 陣列 元件 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于有序納米線陣列的氣敏元件制備方法，其步驟為：
1)在基片上制備一陣列結構圖形；
2)在制備有所述陣列結構圖形的基片上制備一金屬層，然后對所述金屬層進行剝離處理，得到金屬催化劑陣列；
3)將制備有所述金屬催化劑陣列的基片和氣敏元件的納米線所需金屬置于反應室內，制備金屬納米線陣列；
4)在所述金屬納米線陣列上方套刻測試用電極，制備所需氣敏元件。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于采用電子束直寫方法在所述基片上制備所述金屬催化劑陣列。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于套刻所述測試用電極的方法為：在制備有所述金屬納米線陣列的基片左下角和右下角分別沉積一金屬標記，然后定位所述金屬納米線陣列相對金屬標記的相對坐標值；然后在所述金屬納米線陣列的納米線兩端套刻所述測試用電極。
4.如權利要求1或2或3所述的方法，其特征在于采用電子束鍍膜方法蒸鍍金屬制備所述金屬層。
5.如權利要求1或2或3所述的方法，其特征在于制備所述金屬納米線陣列的方法為：將制備有所述金屬催化劑陣列的基片置于端口放有待制備氣敏元件的納米線所用金屬源的單口石英舟內，然后將單口石英舟放入高溫管式爐內，制備所述金屬納米線陣列。
6.如權利要求1或2或3所述的方法，其特征在于所述金屬催化劑陣列為線陣列結構，其中，金屬催化劑陣列間距為20μm，通過調控金屬納米線的生長時間使其生長長度為20μm。
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