[發(fā)明專利]一種容積可調(diào)的組合式坩堝

無(wú)效

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• 申請(qǐng)日: 2013-01-18
• 公開（公告）號(hào): CN103060922A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 奕雪春
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 奕雪春
• 主分類號(hào): C30B35/00
• 分類號(hào): C30B35/00;C30B29/06;C30B15/10;C30B11/00;C30B28/06;C30B28/10
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【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及人工晶體領(lǐng)域，具體地說(shuō)本發(fā)明涉及一種容積可調(diào)的組合式坩堝。

【背景技術(shù)】

已知的，人工晶體種類繁多，其中太陽(yáng)能發(fā)電中使用的單晶硅、多晶硅在太陽(yáng)能發(fā)電領(lǐng)域起到不可或缺的作用；在加工單晶硅、多晶硅中，通常會(huì)使用坩堝進(jìn)行拉制或注錠，單晶硅、多晶硅的拉制或注錠中石英坩堝較為常用；使用坩堝進(jìn)行拉制或注錠，先將粉碎的單晶硅或多晶硅碎塊放入坩堝，然后利用密閉的爐室內(nèi)環(huán)繞坩堝外部的加熱套將坩堝內(nèi)的單晶硅或多晶硅碎塊融化，由拉制裝置上的籽晶插入融化的晶液中緩慢提升，形成晶體柱，所述晶體柱便是成品晶棒；或利用利用密閉的爐室內(nèi)環(huán)繞坩堝外部的加熱套將坩堝內(nèi)的單晶硅或多晶硅碎塊融化，融化單晶硅或多晶硅碎塊時(shí)，通過(guò)控制加熱套使坩堝底部形成略低于上部的低溫區(qū)域，也就是本領(lǐng)域俗稱的階梯溫度，通過(guò)設(shè)置在坩堝底部未融化的籽晶，使降低溫度坩堝內(nèi)的晶液結(jié)晶，形成晶錠。

上述過(guò)程中，由于坩堝內(nèi)單晶硅或多晶硅碎塊間隙較大，使得融化的單晶硅或多晶硅晶液量較小，若加工成大深度的坩堝，經(jīng)受加工晶體柱或晶錠的坩堝只能使用幾天便會(huì)報(bào)廢，主要是坩堝底部的損壞，上部卻是完好的，造成嚴(yán)重浪費(fèi)，深度較小的坩堝單晶硅或多晶硅晶的晶液量較小。

【發(fā)明內(nèi)容】

為了克服背景技術(shù)中的不足，本發(fā)明公開了一種容積可調(diào)的組合式坩堝，通過(guò)將坩堝分為坩堝和附加筒A、附加筒B，實(shí)現(xiàn)了易損壞部分可以獨(dú)立更換，耐用部分可以多次使用，本發(fā)明人相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)使用成本得到了大幅度的降低。

為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明的目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一種容積可調(diào)的組合式坩堝，包括坩堝、附加筒A，坩堝上端的坩堝上沿面上設(shè)有環(huán)繞的環(huán)狀凹槽；附加筒A的上端面為平面，在附加筒A的下端面上設(shè)有環(huán)繞的向下延伸凸起環(huán)；所述附加筒A下端面上設(shè)置的凸起環(huán)與坩堝上沿設(shè)置的環(huán)狀凹槽插接，所述凸起環(huán)與環(huán)狀凹槽吻配且附加筒A的下端面與坩堝上沿對(duì)接形成容積可調(diào)的組合式坩堝。

所述的容積可調(diào)的組合式坩堝，在坩堝內(nèi)的腔體上、附加筒A的內(nèi)部面上分別設(shè)有鋇涂層。

所述的容積可調(diào)的組合式坩堝，所述坩堝內(nèi)腔體上、附加筒A內(nèi)部面上的鋇涂層厚度為1～2mm。

所述的容積可調(diào)的組合式坩堝，設(shè)置在坩堝上沿的所述環(huán)狀凹槽為“U”形槽或“V”形槽；設(shè)置在附加筒A下端面的凸起環(huán)為“U”形凸起或“V”形凸起。

所述的容積可調(diào)的組合式坩堝，在坩堝與附加筒A之間設(shè)有附加筒B，所述附加筒B的筒上沿和下端面上分別設(shè)有環(huán)狀凹槽、凸起環(huán)。

所述的容積可調(diào)的組合式坩堝，設(shè)置在附加筒B筒上沿的所述環(huán)狀凹槽為“U”形槽或“V”形槽；設(shè)置在附加筒B下端面的凸起環(huán)為“U”形凸起或“V”形凸起。

所述的容積可調(diào)的組合式坩堝，在附加筒B的內(nèi)部面上設(shè)有鋇涂層。

所述的容積可調(diào)的組合式坩堝，附加筒B內(nèi)部面上設(shè)置的鋇涂層厚度為1～2mm。

通過(guò)上述公開內(nèi)容，本發(fā)明的有益效果是：

本發(fā)明所述容積可調(diào)的組合式坩堝，通過(guò)將坩堝分為坩堝和附加筒A，也可增加附加筒B，在使用時(shí)通過(guò)附加筒A、附加筒B和坩堝的組合，實(shí)現(xiàn)了易損壞部分可以獨(dú)立更換，耐用部分可以多次使用，本發(fā)明人經(jīng)過(guò)測(cè)試，附加筒A、附加筒B的使用期限是坩堝的二十倍以上，且保證性能不會(huì)降低；本發(fā)明使得容易損壞的坩堝下部及時(shí)更換，上部完好部分多次使用，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)本發(fā)明加工成本雖然略有提高，但使用成本得到了大幅度的降低，融化晶體時(shí)穩(wěn)定性較高；本發(fā)明坩堝使用的材質(zhì)為石英砂，鑒于石英砂在高溫下容易出現(xiàn)石英砂成份與單晶硅或多晶硅的混合，使得單晶硅或多晶硅內(nèi)出現(xiàn)不應(yīng)有的成份，本發(fā)明在坩堝、附加筒A和附加筒B上設(shè)置的鋇涂層可以確保單晶硅的質(zhì)量。

【附圖說(shuō)明】

圖1是本發(fā)明的立體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的組合結(jié)構(gòu)示意圖；

在圖中：1、附加筒A；2、凸起環(huán)；3、環(huán)狀凹槽；4、筒上沿；5、附加筒B；6、坩堝上沿；7、腔體；8、坩堝。

【具體實(shí)施方式】

下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的說(shuō)明；下面的實(shí)施例并不是對(duì)于本發(fā)明的限定，僅作為支持實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方式，在本發(fā)明所公開的技術(shù)框架內(nèi)的任意等同結(jié)構(gòu)替換，均為本發(fā)明的保護(hù)范圍；