[發(fā)明專利]樁腿主舷管裝配參數(shù)的檢測(cè)工具及其檢測(cè)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310032122.4
• 申請(qǐng)日: 2013-01-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103968737A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 季春曉;王兆勛;于效磊;佐奇;于慶松;孫綠吉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 龍口中集來(lái)福士海洋工程有限公司;煙臺(tái)中集來(lái)福士海洋工程有限公司;海陽(yáng)中集來(lái)福士海洋工程有限公司;中國(guó)國(guó)際海運(yùn)集裝箱（集團(tuán)）股份有限公司
• 主分類號(hào): G01B5/02
• 分類號(hào): G01B5/02;G01B5/00
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;尚群

1.一種樁腿主舷管裝配參數(shù)的檢測(cè)工具，用于自升式鉆井平臺(tái)樁腿建造過(guò)程中主舷管的裝配參數(shù)檢測(cè)，其特征在于，包括裝配數(shù)據(jù)檢測(cè)樣板3，所述裝配數(shù)據(jù)檢測(cè)樣板3包括：

樣板本體；

定位部，設(shè)置在所述樣板本體上并與所述主舷管的齒條適配，用于保證所述樣板本體的中心線與所述齒條的中心線及所述主舷管的半弦管的中心線位于同一直線上；

檢測(cè)部，設(shè)置在所述樣板本體上并與所述半弦管適配，用于檢測(cè)所述半弦管的高度數(shù)據(jù)和寬度數(shù)據(jù)，以分別判斷所述半弦管的高度偏移量和所述半弦管的寬度偏移量；

持握部，設(shè)置在所述樣板本體上，用于調(diào)整和移動(dòng)所述樣板本體至所需的檢測(cè)位置。

2.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)工具，其特征在于，所述定位部包括：

第一定位部，為一與所述齒條的齒尖契合的矩形拐角，設(shè)置在所述樣板本體的一側(cè)下端，用于卡合于所述齒條的齒尖上以對(duì)所述樣板本體定位；

第二定位部，為一設(shè)置在所述樣板本體的中心線上的刻線，所述刻線至所述矩形拐角的內(nèi)邊的距離等于所述齒條的中心線到所述齒條的齒尖的距離L。

3.如權(quán)利要求1或2所述的檢測(cè)工具，其特征在于，所述檢測(cè)部為一半圓孔，所述半圓孔的中心線與所述樣板本體的中心線位于同一直線上且所述半圓孔的圓弧半徑大于所述半弦管的外半徑。

4.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)工具，其特征在于，所述半圓孔的圓弧半徑大于所述半弦管的外半徑5－15mm。

5.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)工具，其特征在于，所述檢測(cè)部還包括設(shè)置在所述半圓孔的一側(cè)或兩側(cè)圓弧底端的矩形凹槽以方便測(cè)量。

6.如權(quán)利要求1、2、4或5所述的檢測(cè)工具，其特征在于，所述樣板本體上還設(shè)置有減輕孔。

7.如權(quán)利要求6所述的檢測(cè)工具，其特征在于，所述減輕孔對(duì)稱設(shè)置在所述樣板本體的兩側(cè)靠近頂部的位置處。

8.一種樁腿主舷管裝配參數(shù)的檢測(cè)方法，用于自升式鉆井平臺(tái)樁腿建造過(guò)程中主舷管的裝配參數(shù)檢測(cè)，其特征在于，采用上述權(quán)利要求1－7中任意一項(xiàng)所述的檢測(cè)工具進(jìn)行檢測(cè)，包括如下步驟：

a、檢測(cè)半弦管的高度，用所述檢測(cè)工具測(cè)量沿所述主舷管軸線方向的多個(gè)高度數(shù)據(jù)A，并分別對(duì)應(yīng)計(jì)算所述半弦管的高度H；

b、檢測(cè)半弦管的寬度，用所述檢測(cè)工具測(cè)量對(duì)應(yīng)于每個(gè)所述高度數(shù)據(jù)A的寬度數(shù)據(jù)B，并分別對(duì)應(yīng)計(jì)算所述半弦管的裝配寬度D；

c、判斷主舷管裝配精度，根據(jù)步驟a及步驟b所得的所述半弦管的高度H和所述半弦管的裝配寬度D，分別判斷所述主舷管的裝配是否在允許的裝配精度范圍內(nèi)。

9.如權(quán)利要求8所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述半弦管的高度H及裝配寬度D分別計(jì)算如下：

H＝R－A，D＝B－b,其中，

A－為所述半弦管與所述半圓孔之間位于所述樣板本體的中心線處的間隙，

R－為所述半圓孔的半徑；

B－為所述半圓孔的底端一側(cè)到所述中心線的距離

b－為所述半圓孔的底端一側(cè)與同側(cè)所述半弦管的間隙。

10.如權(quán)利要求8或9所述的檢測(cè)方法，其特征在于，還包括根據(jù)步驟a及步驟b所得的所述半弦管的高度H及裝配寬度D繪制裝配精度圖表的步驟。