[發明專利]橫向MOSFET

有效

• 申請號: 201310032027.4
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN103811549B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 劉惠如;周建志;鄭光茗
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/28
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種半導體器件，包括：

多個隔離區，形成在具有頂面的襯底中，所述多個隔離區中的第一隔離區的頂面低于所述襯底的頂面；以及

柵電極層，包括：

第一柵電極層，形成在所述第一隔離區上方；和

第二柵電極層，形成在所述襯底的頂面上方，所述第一柵電極層的頂面低于所述第二柵電極層的頂面。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

高壓柵極介電層包括：

第一高壓柵極介電層，形成在所述第一隔離區上方；以及

第二高壓柵極介電層，形成在所述襯底的頂面上方，所述第一高壓柵極介電層的頂面低于所述第二高壓柵極介電層的頂面。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中：

所述高壓柵極介電層包括兩種或多種不同的介電材料。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述隔離區是淺溝槽隔離(STI)區。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一柵電極層形成高壓橫向擴散晶體管的柵極結構。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述柵電極層包括多晶硅。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述隔離區包括兩種或多種不同的介電材料。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一隔離區是減小表面電場(RESURF)STI。

9.一種器件，包括：

第一器件，形成在襯底中，所述第一器件包括：

第一柵極介電層，形成在第一隔離區上方，所述第一柵極介電層具有第一厚度；和

第一柵電極層，形成在所述第一柵極介電層上方，所述第一柵電極層包括：

第一部分，與所述第一隔離區垂直對齊；和

第二部分，其頂面高于所述第一部分的頂面；以及

第二器件，形成在所述襯底中，所述第二器件包括：

具有第二厚度的第二柵極介電層，并且所述第一厚度大于所述第二厚度。

10.一種方法，包括：

在襯底中形成第一隔離區，所述第一隔離區的頂面與所述襯底的頂面平齊；

移除所述第一隔離區的上部以形成凹槽；

在所述第一隔離區的上方沉積柵極介電層；以及

在所述柵極介電層上方形成柵電極層，其中：

所述柵電極層的第一部分與所述第一隔離區垂直對齊；并且

所述柵電極層的第二部分形成在所述襯底上方，并且所述第一部分的頂面低于所述第二部分的頂面。