[發(fā)明專利]一種發(fā)光組件及具有此發(fā)光組件的發(fā)光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310031600.X
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN103107179B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃知澍
• 申請（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種發(fā)光組件，其特征在于，包括：

一基板；

一第1發(fā)光二極管，形成于所述基板上；及

一第1晶體管，形成于所述基板上，所述第1晶體管為常開型晶體管，所述第1晶體管包括：

一第1半導體層；

一第2半導體層，形成于所述第1半導體層一端的表面處；

一第3半導體層，形成于所述第1半導體層相對于所述第2半導體層的另一端的表面處；

一閘極電極，與所述第1半導體層形成蕭基接觸；

一汲極電極，與所述第2半導體層形成歐姆接觸；及

一源極電極，與所述第3半導體層形成歐姆接觸；其中

所述第2半導體層及第3半導體層的摻雜條件與所述第1半導體層的摻雜條件不同；

所述第2半導體層及第3半導體層之間的間隔暴露出所述第1半導體層。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，所述第1、第2以及第3半導體層為n型氮化鎵系半導體。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，所述第1晶體管與所述基板之間，還包括一第4半導體層、一主動層、一第5半導體層以及一緩沖層，其中所述第4半導體層為一p型氮化鎵系半導體，且所述第5半導體層為一n型氮化鎵系半導體。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，所述閘極電極包括鎢、鉑、金、鎳、鋁所組成的群組中的任一或組合，且所述源極電極與所述汲極電極包括鈦、鋁、鎳、金、鉻所組成的群組中的任一或組合。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，所述第2半導體層及第3半導體層的摻雜條件與所述第1半導體層的摻雜條件不同為所述第2半導體層及第3半導體層的摻雜濃度與所述第1半導體層的摻雜濃度不同。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，所述發(fā)光組件更包括一電極圖案，將所述第1晶體管電性連接為一第1電流穩(wěn)定單元，并將所述第1電流穩(wěn)定單元電性耦接于所述第1發(fā)光二極管。

7.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括：

如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件；

一電路圖案，將所述第1晶體管電性連接為一第1電流穩(wěn)定單元，并將所述第1電流穩(wěn)定單元電性耦接于所述第1發(fā)光二極管；及

一電源，通過所述電路圖案電性連接所述第1發(fā)光二極管與所述第1電流穩(wěn)定單元。

8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第1晶體管的閘極電極接收一控制電壓。

9.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第1晶體管的閘極電極耦接所述第1晶體管的源極電極。

10.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第1電流穩(wěn)定單元還包括一蕭基二極管，電性連接于所述第1晶體管與所述電源之間，所述蕭基二極管的陽極電極耦接所述第1晶體管的源極電極。

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述蕭基二極管形成于所述基板上。

12.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第1電流穩(wěn)定單元還包括一第2晶體管，電性連接于所述第1晶體管與所述電源之間，所述第2晶體管的汲極電極耦接所述第1晶體管的源極電極，所述第2晶體管的閘極電極耦接所述第2晶體管的汲極電極，且所述第2晶體管的源極電極耦接所述電源。

13.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第2晶體管的結(jié)構(gòu)與所述第1晶體管相同，且所述第2晶體管形成于所述基板上。

14.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述電源為直流電源，可配置于所述發(fā)光裝置外或發(fā)光裝置內(nèi)。

15.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述電源為交流電源，可配置于所述發(fā)光裝置外或發(fā)光裝置內(nèi)。

16.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還包括：

一第2二極管；及

一第2電流穩(wěn)定單元，電性連接于所述第2二極管與所述電源之間，

其中所述第1發(fā)光二極管于正電壓半周期導通，所述第2二極管于負電壓半周期導通。

17.如權(quán)利要求16所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第1發(fā)光二極管與所述第2二極管為成對交錯配置。