[發(fā)明專利]藍(lán)寶石紅外窗口用氧化釔/二氧化硅增透保護(hù)膜及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310031456.X | 申請(qǐng)日: | 2013-01-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103287010A | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 汪桂根;韓杰才;張化宇;駱琳;嚴(yán)帥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈爾濱工業(yè)大學(xué)深圳研究生院 |
| 主分類號(hào): | B32B9/04 | 分類號(hào): | B32B9/04;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/35 |
| 代理公司: | 深圳市科吉華烽知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 胡吉科;孫偉 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 藍(lán)寶石 紅外 窗口 氧化釔 二氧化硅 保護(hù)膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種藍(lán)寶石紅外窗口用氧化釔/二氧化硅增透保護(hù)膜,其特征在于:包括依次沉積的氧化釔層和二氧化硅層,所述氧化釔層的厚度為200~750nm,所述二氧化硅層的厚度為600~900nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石紅外窗口用氧化釔/二氧化硅增透保護(hù)膜,其特征在于:所述氧化釔層的厚度為350~600nm,所述二氧化硅層的厚度為700~800nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石紅外窗口用氧化釔/二氧化硅增透保護(hù)膜,其特征在于:所述氧化釔層的厚度為500nm,所述二氧化硅層的厚度為700nm。
4.一種如權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石紅外窗口用氧化釔/二氧化硅增透保護(hù)膜的制備方法,其特征在于:包括如下步驟:
A)將藍(lán)寶石襯底置于磁控濺射腔室的樣品基片臺(tái)上,對(duì)真空腔室進(jìn)行抽真空,加熱基片樣品臺(tái)至300~500℃,再向腔室通入氬氣,并打開射頻電源,對(duì)金屬釔靶施加100~250W的濺射功率啟輝,進(jìn)行預(yù)濺射,以便去除金屬釔靶材表面的氧化層;
B)預(yù)濺射后同時(shí)通入氬氣和氧氣,并打開基片擋板,對(duì)藍(lán)寶石襯底進(jìn)行表面鍍膜,沉積150~600分鐘后,形成Y2O3層,關(guān)閉基片擋板,關(guān)閉射頻電源和氬氣源;
C)旋轉(zhuǎn)樣品基片臺(tái),使藍(lán)寶石襯底向下正對(duì)相應(yīng)的硅靶,向真空腔室再次通入氬氣,并打開射頻電源,對(duì)硅靶施加100~250W的濺射功率啟輝,進(jìn)行預(yù)濺射,以便去除硅靶材表面的氧化層;
D)預(yù)濺射后同時(shí)通入氬氣和氧氣,打開基體擋板,對(duì)藍(lán)寶石襯底再次進(jìn)行表面鍍膜,沉積60~90分鐘后,形成SiO2外層,從而制得藍(lán)寶石紅外窗口用Y2O3/SiO2增透保護(hù)膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的藍(lán)寶石紅外窗口用氧化釔/二氧化硅增透保護(hù)膜的制備方法,其特征在于:所述抽真空的真空度為4.0×10-4~2.0×10-4?Pa。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的藍(lán)寶石紅外窗口用氧化釔/二氧化硅增透保護(hù)膜的制備方法,其特征在于:所述步驟A和步驟C中,氬氣的流量控制在10~50mL/min,腔室內(nèi)壓強(qiáng)為3~5Pa。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的藍(lán)寶石紅外窗口用氧化釔/二氧化硅增透保護(hù)膜的制備方法,其特征在于:所述步驟B中,氬氣的流量控制在10~50mL/min,氧氣的流量為10~20mL/min,腔室內(nèi)的壓強(qiáng)為5~15Pa。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的藍(lán)寶石紅外窗口用氧化釔/二氧化硅增透保護(hù)膜的制備方法,其特征在于:所述步驟D中,氬氣的流量控制在10~50mL/min,氧氣的流量為10~20mL/min,腔室內(nèi)的壓強(qiáng)為0.5~2Pa。
9.根據(jù)權(quán)利要求4至8中任一項(xiàng)所述的藍(lán)寶石紅外窗口用氧化釔/二氧化硅增透保護(hù)膜的制備方法,其特征在于:還包括步驟:E)將所述藍(lán)寶石紅外窗口用Y2O3/SiO2增透保護(hù)膜在濺射后關(guān)閉擋板、射頻電源和氬氣源,在氧氣氣氛中原位保溫60~120分鐘。
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