[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、X射線平板探測器

有效

• 申請號: 201310031381.5
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN103137641A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 閻長江;李田生;徐少穎;謝振宇;陳旭
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括：

基板；

形成于所述基板上的柵線層，所述柵線層包括柵極以及與所述柵極連接的柵線；

形成于所述柵線層上方的柵絕緣層；

形成于所述絕緣層上方的有源層；

形成于所述有源層上方的數據線層，所述數據線層包括源極、漏極以及與所述源極連接的數據線，所述數據線與所述柵線交叉，其特征在于，

所述有源層包括導體層和半導體層，所述導體層形成于所述柵絕緣層的上方，所述半導體層包裹所述導體層。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導體層材料為銦鎵鋅氧化物導體，所述半導體層材料為銦鎵鋅氧化物半導體。

3.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，相鄰的所述柵線和所述數據線交叉的區域內限定有像素區域，所述像素區域內設有光電二極管，所述光電二極管的下端與所述漏極電連接、上端電連接有偏置電極層。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述光電二極管的上端設有透明導電層，所述透明導電層的上方設有第一鈍化層，所述第一鈍化層設有過孔，且所述第一鈍化層的上方設有偏置電極層，所述透明導電層通過所述過孔與偏置電極層電連接。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述偏置電極層的上方設有第二鈍化層。

6.一種如權利要求1-5任一項所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成柵極以及與所述柵極連接的柵線；

在形成有柵極、柵線的基板上形成柵絕緣層；

在形成有柵絕緣層的基板上沉積導體的銦鎵鋅氧化物薄膜，通過構圖工藝，形成導體層；

在形成有導體層的基板上沉積半導體的銦鎵鋅氧化物薄膜，通過構圖工藝，形成半導體層，所述半導體層包裹所述導體層。

7.根據權利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述半導體層后，還包括：

在形成有半導體層的基板上沉積數據線層薄膜，通過構圖工藝，形成溝道、漏極、源極以及與所述源極連接的數據線；

在形成有源極、漏極、數據線以及溝道的基板上沉積光電二極管薄膜，通過構圖工藝，在所述源極的上方形成光電二極管；

在形成有光電二極管的基板上沉積透明導電層薄膜，通過構圖工藝，在所述光電二極管的上端形成透明導電層。

8.根據權利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括：

在形成有透明導電層的基板上沉積第一鈍化層薄膜，形成第一鈍化層，并通過構圖工藝，在所述光電二極管的上方形成過孔；

在形成有第一鈍化層的基板上沉積偏置電極層薄膜，通過構圖工藝，形成偏置電極層，所述偏置電極層通過所述過孔與透明導電層連接；

在形成有偏置電極層的基板上沉積第二鈍化層薄膜，形成第二鈍化層。

9.一種X射線平板探測器，包括X射線源以及探測裝置，其特征在于，所述探測裝置包括權利要求1-5任一項所述的陣列基板。