[發(fā)明專利]一種太赫茲信號檢測裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310031213.6
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN103090977A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許欽印;日比康詞;陳健;康琳;吳培亨
• 申請（專利權(quán)）人: 南京大學(xué)
• 主分類號: G01J5/20
• 分類號: G01J5/20;G01J5/02
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務(wù)所 32237
• 代理人: 胡建華

1.一種太赫茲信號檢測裝置，其特征在于，包括集成芯片，所述集成芯片上同時設(shè)置低溫半導(dǎo)體讀出電路和超導(dǎo)體檢測器；低溫半導(dǎo)體讀出電路和超導(dǎo)體檢測器相互連通，超導(dǎo)體檢測器用于檢測太赫茲信號。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太赫茲信號檢測裝置，其特征在于，所述低溫半導(dǎo)體讀出電路包括偏置電阻R_L、第一場效應(yīng)管JFET1和第二場效應(yīng)管JFET2、第一場效應(yīng)管JFET1的第一偏置電阻R_S1和第二場效應(yīng)管JFET2的第二偏置電阻R_S2、電位器V_R、集成運算放大器U3、集成運算放大器U4、集成運算放大器U5、集成運算放大器U6，以及集成運算放大器U7；

超導(dǎo)體檢測器R_STJ兩端分別接到第一場效應(yīng)管JFET1和第二場效應(yīng)管JFET2各自的柵極，且超導(dǎo)體檢測器R_STJ其中一端接地；第一場效應(yīng)管JFET1和第二場效應(yīng)管JFET2的漏極施加9V的直流偏壓，并分別經(jīng)由第一偏置電阻R_S1和第二偏置電阻R_S2接地；所述偏置電阻R_L和超導(dǎo)體檢測器R_STJ串聯(lián)后連接到集成運算放大器U7的正輸入端，集成運算放大器U7的負(fù)輸入端接地，集成運算放大器U7輸出端的電壓值就是電流輸出值I_OUT；

所述集成運算放大器U3正輸入端連接第二場效應(yīng)管JFET2的源極，集成運算放大器U4正輸入端連接第一場效應(yīng)管JFET1的源極，集成運算放大器U3和集成運算放大器U4各自采用負(fù)反饋連接方式，集成運算放大器U3輸出端連接集成運算放大器U5的負(fù)輸入端，集成運算放大器U4輸出端連接集成運算放大器U5的正輸入端；

所述集成運算放大器U6正輸入端連接電位器V_R，集成運算放大器U6通過開關(guān)I-bias采用負(fù)反饋連接方式和集成運算放大器U7的正輸入端相連，集成運算放大器U6同時通過開關(guān)V-bias和集成運算放大器U5的輸出端相連；

所述集成運算放大器U5輸出端分別連接一個電阻和接地電容。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種太赫茲信號檢測裝置，其特征在于，低溫半導(dǎo)體讀出電路和超導(dǎo)體檢測器通過金屬薄膜引線連通。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種太赫茲信號檢測裝置，其特征在于，集成芯片為直徑12毫米的圓形集成芯片。