[發明專利]具有不同密度的納米晶體的不同非易失性存儲器的半導體器件及方法

有效

• 申請號: 201310031117.1
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN103227153B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 姜盛澤;G·L·辛達洛里;B·A·溫斯蒂亞德;J·A·耶特
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L21/8246
• 分類號: H01L21/8246;H01L27/112
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 陳華成

1.一種用于形成半導體器件的方法，包括：

在具有第一區域和第二區域的襯底的表面之上形成第一多個納米晶體，其中所述第一多個納米晶體在所述第一區域和所述第二區域中形成并且具有第一密度；以及

在形成所述第一多個納米晶體之后，在所述第二區域中而不在所述第一區域中在襯底的表面之上形成第二多個納米晶體，其中在所述第二區域中所述第一多個納米晶體連同所述第二多個納米晶體產生第二密度，其中所述第二密度大于所述第一密度。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第一區域中形成第一存儲器晶體管，其中所述第一存儲器晶體管包括第一電荷存儲層，其中所述第一電荷存儲層包括所述第一多個納米晶體的第一部分；以及

在所述第二區域中形成第二存儲器晶體管，其中所述第二存儲器晶體管包括第二電荷存儲層，其中所述第二電荷存儲層包括所述第一多個納米晶體的第二部分和所述第二多個納米晶體的一部分，其中所述第二電荷存儲層的納米晶體密度大于所述第一電荷存儲層的納米晶體密度。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述第一電荷存儲層的納米晶體密度對應于在所述第一區域中的存儲器晶體管的最大的納米晶體密度，并且所述第二電荷存儲層的納米晶體密度對應于在所述第二區域中的存儲器晶體管的最小的納米晶體密度。

4.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述第二多個納米晶體的步驟包括：

在所述第一區域和所述第二區域中在襯底之上形成絕緣層；

向所述絕緣層中注入材料，其中所述注入在所述第二區域中而不在所述第一區域中執行；以及

對所述材料退火以在所述絕緣層中形成所述第二多個納米晶體。

5.根據權利要求4所述的方法，其中形成所述絕緣層的步驟被執行為使得所述絕緣層在所述第一多個納米晶體之上形成。

6.根據權利要求4所述的方法，其中形成所述第一多個納米晶體包括在注入所述材料的步驟之前在所述絕緣層上形成所述第一多個納米晶體。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一多個納米晶體的平均直徑大于所述第二多個納米晶體的平均直徑。

8.根據權利要求1所述的方法，其中在形成所述第二多個納米晶體的步驟之前，所述方法還包括：

從所述襯底的第三區域移除所述第一多個納米晶體的一部分，其中形成所述第二多個納米晶體的步驟被執行為使得所述第二多個納米晶體不在所述第三區域中形成；以及

在所述第三區域中形成邏輯晶體管。

9.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在形成所述第二多個納米晶體的步驟之后，從所述襯底的第三區域移除所述第一多個納米晶體和第二多個納米晶體中的每一個的一部分；以及

在所述第三區域中形成邏輯晶體管。

10.一種用于形成半導體器件的方法，包括：

在具有第一區域和第二區域的襯底的表面之上形成第一多個納米晶體，其中所述第一多個納米晶體在所述第一區域和所述第二區域中形成；

在形成所述第一多個納米晶體之后，在所述第二區域中而不在所述第一區域中在襯底的表面之上形成第二多個納米晶體；

在所述第一區域中形成第一存儲器晶體管，其中所述第一存儲器晶體管包括第一電荷存儲層，其中所述第一電荷存儲層包括所述第一多個納米晶體的第一部分并且具有第一納米晶體密度；以及

在所述第二區域中形成第二存儲器晶體管，其中所述第二存儲器晶體管包括第二電荷存儲層，其中所述第二電荷存儲層包括所述第一多個納米晶體的第二部分和所述第二多個納米晶體的一部分，其中所述第二電荷存儲層具有大于所述第一納米晶體密度的第二納米晶體密度。

11.根據權利要求10所述的方法，其中形成所述第二多個納米晶體的步驟包括：

在所述第一區域和所述第二區域中在所述襯底之上形成絕緣層；

向所述絕緣層注入材料，其中所述注入在所述第二區域中而不在所述第一區域中執行；以及

對所述材料進行退火以在所述絕緣層中形成所述第二多個納米晶體。

12.根據權利要求11所述的方法，其中形成所述絕緣層的步驟被執行為使得所述絕緣層在所述第一多個納米晶體之上形成。