[發明專利]圖像裝置及其形成方法

有效

• 申請號: 201310031116.7
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN103700677A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 吳政達;焦圣杰;杜友倫;蔡嘉雄;蔡雙吉
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種形成圖像傳感器裝置的方法，所述方法包括：

a.在襯底的正面中形成光電檢測器；

b.從所述襯底的背面減薄所述襯底；

c.從所述背面將摻雜劑引入減薄的襯底中；

d.對所述減薄的襯底進行退火；

e.在所述減薄的襯底的背面上方沉積抗反射層；

f.在所述抗反射層上方形成微透鏡；以及

g.在步驟b、c、d、e或f中的至少一個步驟之后實施至少一次紫外線(UV)輻射處理。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，以約200nm至約410nm的范圍內的波長實施所述至少一次UV輻射處理。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，實施所述至少一次UV輻射處理一次以上。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，在步驟f之后僅實施所述至少一次UV輻射處理一次。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，以約3焦耳至約150焦耳的范圍內的操作能量實施所述至少一次UV輻射處理。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，引入步驟c包括將p型摻雜劑注入所述襯底中。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述p型摻雜劑包括硼、鎵或銦。

8.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：形成圍繞所述光電檢測器的隔離阱。

9.一種形成圖像傳感器裝置的方法，所述方法包括：

在襯底的正面中形成光電檢測器；

從所述襯底的背面減薄所述襯底；

從所述背面將摻雜劑引入所述襯底中；

在引入所述摻雜劑之后實施紫外線(UV)輻射處理；

對所述襯底進行退火；

在所述襯底的所述背面上方沉積抗反射層；

在所述抗反射層上方形成微透鏡。

10.一種形成圖像傳感器裝置的方法，所述方法包括：

a.在襯底的正面中形成光電檢測器；

b.從所述襯底的背面拋光所述襯底；

c.從所述背面將p型摻雜劑引入拋光的襯底中；

d.對所述拋光的襯底進行激光退火；

e.在所述激光退火之后在所述拋光的襯底上方沉積抗反射層；

f.在所述抗反射層上方形成濾色器，所述濾色器與所述光電檢測器基本對準；

g.在所述抗反射層上方形成微透鏡；以及

h.在步驟b、c、d、e、f或g中的至少一個步驟之后實施至少一次紫外線(UV)輻射處理。