[發(fā)明專利]一種金屬陶瓷復(fù)合基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310031092.5
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN103079339A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王新中;廖秋榮;董山山;楊向紅
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市泓亞光電子有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K1/05;H05K3/00;H01L33/62;H01L33/54
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種金屬陶瓷復(fù)合基板，包括金屬基體、設(shè)置于所述金屬基體之第一表面的陶瓷層以及設(shè)置于所述陶瓷層之背離所述金屬基體的表面的金屬線路層，所述陶瓷層位于所述金屬基體與所述金屬線路層之間，其特征在于，還包括通過在所述金屬基體之第一表面上注入氮形成的并連接所述陶瓷層的金屬陶瓷過渡層，所述金屬陶瓷過渡層為金屬和金屬氮化物的混合物構(gòu)成，所述陶瓷層由陶瓷薄膜構(gòu)成。

2.如權(quán)利要求1所述的金屬陶瓷復(fù)合基板，其特征在于，所述金屬基體由鋁或者鋁合金材料制成。

3.如權(quán)利要求2所述的金屬陶瓷復(fù)合基板，其特征在于，所述金屬陶瓷過渡層為鋁和氮化鋁的混合物構(gòu)成，所述氮化鋁的重量比例范圍為20%~80%，所述金屬陶瓷過渡層的厚度范圍為1nm~1000nm。

4.如權(quán)利要求1所述的金屬陶瓷復(fù)合基板，其特征在于，所述陶瓷薄膜為氮化物薄膜。

5.如權(quán)利要求1至4中任意一項所述的金屬陶瓷復(fù)合基板，其特征在于，所述金屬線路層由銅箔層、銅箔層和在所述銅箔層之表面形成的鍍銀或者銅箔層和在所述銅箔層之表面形成的鍍鎳鈀金構(gòu)成，所述銅箔層上設(shè)有通過蝕刻方式形成的電路結(jié)構(gòu)。

6.一種金屬陶瓷復(fù)合基板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

研磨并拋光金屬基體之第一表面；

利用離子注入法在所述金屬基體之第一表面注入氮并形成由金屬和金屬氮化物構(gòu)成的金屬陶瓷過渡層；

利用氣相沉積方法在所述金屬陶瓷過渡層一表面形成由陶瓷薄膜構(gòu)成的陶瓷層；以及

在所述陶瓷層之背離所述金屬基體的表面設(shè)置金屬線路層，以使所述陶瓷層位于所述金屬陶瓷過渡層與所述金屬線路層之間。

7.如權(quán)利要求6所述的金屬陶瓷復(fù)合基板的制造方法，其特征在于，所述金屬基體由鋁或者鋁合金材料制成。

8.如權(quán)利要求7所述的金屬陶瓷復(fù)合基板的制造方法，其特征在于，所述金屬陶瓷過渡層為鋁和氮化鋁的混合物構(gòu)成，所述氮化鋁的重量比例范圍為20%~80%，所述金屬陶瓷過渡層的厚度范圍為1nm~1000nm。

9.如權(quán)利要求6所述的金屬陶瓷復(fù)合基板的制造方法，其特征在于，所述陶瓷薄膜為氮化物薄膜。

10.如權(quán)利要求6至9中任意一項所述的金屬陶瓷復(fù)合基板的制造方法，其特征在于，在所述陶瓷層之背離所述金屬基體的表面設(shè)置金屬線路層的步驟包括：

在所述陶瓷層背離所述金屬基體的表面壓合、燒結(jié)、電鍍、蒸鍍或者真空濺鍍一層銅箔；以及

利用掩模蝕刻的方式在所述銅箔上制作電路結(jié)構(gòu)。