[發(fā)明專利]一種對基板進(jìn)行標(biāo)記的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310030975.4 | 申請日: | 2013-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN103969943A | 公開(公告)日: | 2014-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王亮;郭建 | 申請(專利權(quán))人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/42 | 分類號: | G03F1/42;G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 張穎玲;張振偉 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 進(jìn)行 標(biāo)記 方法 | ||
1.一種對基板進(jìn)行標(biāo)記的方法,其特征在于,該方法包括:
在基板的構(gòu)圖工藝中,利用帶有標(biāo)記圖案的掩膜版對所述基板進(jìn)行曝光,在所述基板上形成與所述標(biāo)記圖案相對應(yīng)的標(biāo)識。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,與所述標(biāo)記圖案相對應(yīng)的標(biāo)識是通過對所述基板進(jìn)行一次曝光而形成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述標(biāo)記圖案包括多個標(biāo)記符號,與所述標(biāo)記圖案相對應(yīng)的標(biāo)識是通過對所述基板進(jìn)行多次曝光而形成的,其中每次曝光在所述基板上形成至少一個所述標(biāo)記符號對應(yīng)的標(biāo)識。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述每次曝光在所述基板上形成至少一個所述標(biāo)記符號,包括:每次曝光時,在所述基板上形成至少一個所述標(biāo)記符號,同時保留之前曝光時所形成的標(biāo)記符號。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述基板包括多個面板區(qū)域,每個面板區(qū)域有對應(yīng)的標(biāo)記圖案;
在所述基板上形成與所述標(biāo)記圖案相對應(yīng)的標(biāo)識,包括:在每個面板區(qū)域上形成與該面板區(qū)域?qū)?yīng)的標(biāo)記圖案所對應(yīng)的標(biāo)識。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:在用于對基板進(jìn)行曝光的掩膜版上設(shè)置所述標(biāo)記圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述構(gòu)圖工藝過程包括多次曝光,曝光次數(shù)與所述掩膜版數(shù)目相等;每個掩膜版上帶有至少一個所述標(biāo)記符號。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,除了第一次曝光時所應(yīng)用的掩膜版以外,在各掩膜版上設(shè)置與前一次曝光所形成的標(biāo)識符號相對應(yīng)的顯露圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,設(shè)置所述顯露圖案的方法為:
在掩膜版上與所述基板上因第一次曝光之后的曝光而被覆蓋的標(biāo)記圖案的位置相對應(yīng)的位置設(shè)置顯露圖案;
所述顯露圖案的形狀與被覆蓋的所述標(biāo)記圖案的形狀相同或包含被覆蓋的標(biāo)記圖案的形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,該方法還包括:
在進(jìn)行所述第一次曝光之后的一次曝光時,曝光與掩膜版上所設(shè)置的顯露圖案相對應(yīng)的基板上覆蓋標(biāo)記圖案的區(qū)域,將基板上被該區(qū)域所覆蓋的之前一次曝光所形成的標(biāo)記圖案顯露出來。
11.根據(jù)權(quán)利要求3至10任一項所述的方法,其特征在于,所述掩膜版包括第一掩膜版、第二掩膜版;
構(gòu)圖工藝過程包括多次曝光時,所述曝光的過程包括:將第一掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光,在基板上形成設(shè)置于第一掩膜版上的標(biāo)記圖案;之后將第二掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光,在所述基板上形成設(shè)置于第二掩膜版上的標(biāo)記圖案,最終在基板上形成由設(shè)置于第一掩膜版上的標(biāo)記圖案以及設(shè)置于第二掩膜版上的標(biāo)記圖案組成的標(biāo)記圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于,
所述將第一掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光的操作位于形成柵極金屬層的曝光工藝中;
所述將第二掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光的操作位于形成源漏極金屬層的曝光工藝中。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述標(biāo)記圖案包括數(shù)字、字母、其它具有標(biāo)識作用的形狀中的至少一種。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





