[發明專利]單層ITO的布線結構在審
| 申請號： | 201310030436.0 | 申請日： | 2013-01-28 |
| 公開（公告）號： | CN103092423A | 公開（公告）日： | 2013-05-08 |
| 發明（設計）人： | 樊永召;劉赫 | 申請（專利權）人： | 蘇州瀚瑞微電子有限公司 |
| 主分類號： | G06F3/041 | 分類號： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215163 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單層 ito 布線 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種單層ITO的布線結構，其ITO上布設有若干個電極塊，每個電極塊包括若干個X電極和一個Y電極，其特征在于，所述X電極和Y電極均包括一主體及從主體上一側延伸的若干個支體，所述X電極和Y電極的支體相向設置，若干個X電極依次順序布設在一個Y電極的若干個支體之間的間隙內，相鄰兩個電極塊呈鏡像排列。
2.根據權利要求1所述的單層ITO的布線結構，其特征在于，所述X電極的支體和Y電極的支體大小相同。
3.根據權利要求1所述的單層ITO的布線結構，其特征在于，所述支體與所述主體之間相互垂直。
4.根據權利要求1所述的單層ITO的布線結構，其特征在于，所述X電極的支體與所述Y電極的支體之間相互咬合形成間隙。
5.根據權利要求1所述的單層ITO的布線結構，其特征在于，ITO的邊緣處布設的電極為Y電極。
6.根據權利要求1或5所述的單層ITO的布線結構，其特征在于，所述相鄰兩個呈鏡像排列的電極塊中的X電極與X電極相鄰。
7.根據權利要求1所述的單層ITO的布線結構，其特征在于，所述每個電極塊中同方向上的X電極在FPC上相連接。
8.根據權利要求7所述的單層ITO的布線結構，其特征在于，所述X電極和所述Y電極之間的橋接點位于FPC上。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州瀚瑞微電子有限公司，未經蘇州瀚瑞微電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310030436.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種具圓柱容置空腔的托盤
- 下一篇：一種碼垛機出料裝置
