[發明專利]基于金屬納米光柵的微偏振片陣列及其制備方法有效
| 申請號： | 201310030339.1 | 申請日： | 2013-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN103969840B | 公開（公告）日： | 2017-05-03 |
| 發明（設計）人： | 張青川;張志剛;趙旸;程騰;伍小平 | 申請（專利權）人： | 中國科學技術大學 |
| 主分類號： | G02B27/28 | 分類號： | G02B27/28;G02B5/30;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 230026 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 金屬 納米 光柵 偏振 陣列 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于金屬納米光柵的單層微偏振片陣列，其特征在于，該單層微偏振片陣列包括：高透光性的基底和基底上沉積的金屬膜刻蝕而成的金屬納米光柵，其中：
所述金屬納米光柵在所述基底上排列的方向為四種不同的方向，具有相同排列方向的相鄰金屬納米線構成的光柵為一個微偏振片，每個微偏振片的尺寸與感光元件芯片的像素尺寸相同。
2.根據權利要求1所述的單層微偏振片陣列，其特征在于，所述金屬納米光柵為鋁光柵、金光柵或鉑光柵。
3.根據權利要求1所述的單層微偏振片陣列，其特征在于，所述金屬納米光柵的周期為亞波長量級。
4.根據權利要求1所述的單層微偏振片陣列，其特征在于，每個微偏振片可透過的偏振光的偏振方向與所述金屬納米光柵柵線的方向垂直。
5.根據權利要求1所述的單層微偏振片陣列，其特征在于，采用干涉光刻或者全息光刻技術來產生所述金屬納米光柵柵線：使用夾角為θ，波長為λ的兩束相干光進行干涉，產生周期為λ/2sin(θ/2)的光柵柵線。
6.根據權利要求5所述的單層微偏振片陣列，其特征在于，通過調節所述相干光的波長和夾角來調節所生成光柵柵線的周期值。
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