[發(fā)明專利]三維微米級(jí)多孔銅薄膜的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310030324.5
• 申請(qǐng)日: 2013-01-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103132111A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黎學(xué)明;羅彬彬;賴川;張代雄;楊文靜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 重慶大學(xué)
• 主分類號(hào): C25D1/08
• 分類號(hào): C25D1/08
• 代理公司: 北京智匯東方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11391
• 代理人: 張群峰;范曉斌

1.一種多孔銅薄膜的制備方法，包括：

提供金屬基底作為陰極并提供紫銅片作為陽(yáng)極；

配制電鍍液，所述電鍍液中Cu²⁺含量為0.08～0.2mol/L、H₂SO₄含量為1.50～3.00mol/L、表面活性劑總含量為0.5～4.0mmol/L、Cl-含量為1.5～3.0mmol/L；以及

利用所述電鍍液、所述陰極和所述陽(yáng)極，采用氫氣泡動(dòng)態(tài)模板電沉積法在所述金屬基底上形成三維多孔銅薄膜。

2.權(quán)利要求1的方法，其中所述金屬基底為紫銅片、銅鋅合金片、鋁片、鈦片或鎂鋁合金片。

3.權(quán)利要求1的方法，其中所述金屬基底在作為陰極之前和/或所述紫銅片在作為陽(yáng)極之前經(jīng)過(guò)相應(yīng)的前處理。

4.權(quán)利要求3的方法，其中所述前處理依次包括打磨、去離子水洗、堿洗、去離子水洗、酸洗和去離子水洗。

5.權(quán)利要求4的方法，其中堿洗條件為：洗滌溶液0.5～1mol/LNa₂CO₃；浸泡時(shí)間5～10min；以及溶液溫度范圍10～35℃；以及

酸洗條件為：洗滌溶液0.5～1mol/L?HCl；浸泡時(shí)間5～10min；溶液溫度范圍10～35℃。

6.權(quán)利要求1的方法，其中在電沉積過(guò)程中不對(duì)電鍍液采取任何攪拌措施。

7.權(quán)利要求1的方法，還包括對(duì)三維多孔銅薄膜進(jìn)行后處理，即用去離子水對(duì)其清洗3～5次，然后用保護(hù)性氣體吹干保存。

8.權(quán)利要求1的方法，其中所述表面活性劑為十二烷基硫酸鈉、十二烷基磺酸鈉、丁炔二醇中的任意兩種之組合。

9.權(quán)利要求1的方法，其中電沉積條件為：時(shí)間20～120s；電流密度1.2～3A/cm²；以及鍍液溫度為25±5℃。