[發明專利]納米銅立方體顆粒的制備方法有效
| 申請號： | 201310030322.6 | 申請日： | 2013-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN103088371A | 公開（公告）日： | 2013-05-08 |
| 發明（設計）人： | 黎學明;羅彬彬;李先麗;李曉林;李武林 | 申請（專利權）人： | 重慶大學 |
| 主分類號： | C25C5/02 | 分類號： | C25C5/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京智匯東方知識產權代理事務所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 張群峰;范曉斌 |
| 地址： | 400030 *** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 立方體 顆粒 制備 方法 | ||
1.一種納米銅立方體顆粒的制備方法，包括：
提供金屬基底作為陰極并提供紫銅片作為陽極；
配制電鍍液，所述電鍍液中Cu2+含量為0.02～0.10mol/L、有機弱酸含量為0.2～0.4mol/L、表面活性劑含量為電鍍液總質量的1%～4%，電鍍液pH值為5.0～7.5；以及
利用所述電鍍液、所述陰極和所述陽極，采用電沉積法在所述金屬基底上制備納米銅立方體顆粒。
2.權利要求1的方法，其中所述金屬基底為紫銅片、銅鋅合金片或鈦片。
3.權利要求1的方法，其中所述金屬基底在作為陰極之前和/或所述紫銅片在作為陽極之前經過相應的前處理。
4.權利要求3的方法，其中所述前處理依次包括打磨、去離子水洗、堿洗、去離子水洗、酸洗和去離子水洗。
5.權利要求4的方法，其中堿洗條件為：洗滌溶液0.5～1mol/LNa2CO3；浸泡時間5～10min；以及溶液溫度范圍10～35℃；以及
酸洗條件為：洗滌溶液0.5～1mol/L?HCl；浸泡時間5～10min；溶液溫度范圍10～35℃。
6.權利要求1的方法，其中在電沉積過程中不對電鍍液采取任何攪拌措施。
7.權利要求1的方法，還包括對納米銅立方體顆粒進行后處理，即用去離子水對其清洗3～5次，然后用空氣吹干保存。
8.權利要求1的方法，其中所述表面活性劑為十二烷基硫酸鈉、PEG（分子量8000）、PEG（分子量10000）或PEG（分子量20000）。
9.權利要求1的方法，其中所述有機弱酸為乳酸、醋酸或酒石酸。
10.權利要求1的方法，其中電沉積條件為：電沉積時間15min～180min；電流密度1.5mA/cm2～5.0mA/cm2、鍍液溫度40～60℃。
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