[發(fā)明專利]一種氧化鎂納米帶-碳納米管復(fù)合材料的制備方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310030048.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-01-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103086406A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李明吉;王秀鋒;李紅姬;狄海榮;曲長(zhǎng)慶 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C01F5/06 | 分類號(hào): | C01F5/06;C01B31/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 天津佳盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
| 地址: | 300384 天津市西青*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氧化鎂 納米 復(fù)合材料 制備 方法 | ||
1.一種氧化鎂納米帶-碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:采用直流等離子體噴射CVD系統(tǒng)制備,步驟如下:
1)將六水合硝酸鎳和六水合硝酸鎂溶于乙醇中,制得混合溶液作為催化劑前驅(qū)體;
2)將混合溶液均勻滴涂在基底上,在紅外燈下烘干后,置于直流等離子體噴射CVD系統(tǒng)沉積室的水冷沉積臺(tái)上;
3)關(guān)閉沉積室,開啟水冷系統(tǒng)并抽真空,當(dāng)腔壓和泵壓均為0.01Pa時(shí),通入流量為500-20000mL/min的H2和500-20000mL/min的Ar,至腔壓和泵壓分別回升至1000-10000Pa和10000-20000Pa;
4)在腔壓和泵壓保持在1000-10000Pa和10000-20000Pa,溫度保持在500-1205℃的條件下,施加磁控電壓1-20V,弧電壓50-200V,啟動(dòng)直流電弧,反應(yīng)時(shí)間0.5-15分鐘,然后通入流量為10-600mL/min的碳源氣體,反應(yīng)時(shí)間0.5-15分鐘,通過在催化劑表面進(jìn)行等離子體反應(yīng)直接制得氧化鎂納米帶-碳納米管復(fù)合材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述氧化鎂納米帶-碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:所述混合溶液中六水合硝酸鎳和六水合硝酸鎂的摩爾比為10-1:1-10,六水合硝酸鎳和六水合硝酸鎂的總量與乙醇的用量比為0.1-2mol/L。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述氧化鎂納米帶-碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:所述基底為鉬、鋯或石墨。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述氧化鎂納米帶-碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:所述碳源氣體為甲烷、乙炔或乙烯。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述氧化鎂納米帶-碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:所述直流等離子體噴射CVD系統(tǒng)中的沉積室包括沉積腔和等離子體炬,沉積腔由中空腔體壁、中空腔沉積臺(tái)和抽氣口組成,基底放于中空腔沉積臺(tái)上,中空腔體壁和中空腔沉積臺(tái)均經(jīng)冷卻水冷卻以抑制沉積腔溫升,抽氣口設(shè)于沉積腔底部與真空泵抽氣系統(tǒng)連接;等離子體炬包括桿狀鎢陰極、包圍陰極的筒狀紫銅陽極、上部的工作氣體入口、從上至下的放電通道、下部的陽極噴口、環(huán)繞在炬外壁的載流螺管勵(lì)磁線圈和冷卻水通道組成,鎢陰極、紫銅陽極和載流螺管勵(lì)磁線圈分別與直流配電柜相連,工作氣體入口通過氣體質(zhì)量流量計(jì)與氣體瓶相連。
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