[發明專利]太陽能電池無效
| 申請號: | 201310029957.4 | 申請日: | 2013-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN103151395A | 公開(公告)日: | 2013-06-12 |
| 發明(設計)人: | 賴忠威;梁碩瑋 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/04 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;王穎 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 | ||
技術領域
本發明有關一種太陽能電池。
背景技術
太陽能電池(solar?cell)可將光能轉換為電能,其中光能又以太陽光為主要來源。由于太陽能電池在轉換過程中不會產生溫室氣體,因此可以實現綠色能源的環境。近年來,隨著太陽能科技的進歩與發展,太陽能電池已廣泛地應用于住宅的屋頂與大樓的外墻。
公知太陽能電池一般具有結晶硅基板、單一的正極導電部與單一的負極導電部。其中,正極導電部位于結晶硅基板的背光面上,且與硅基板的P型半導體材料層導通。負極導電部位于結晶硅基板的背光面上,且與硅基板的N型半導體材料層導通。太陽能電池在制作時的輸出電壓就已決定,例如單一結晶硅基板的太陽能電池就只能固定輸出0.6V的電壓。若要制作較大輸出電壓的太陽能模塊,只能以串聯數個太陽能電池來達成此目的,但會造成模塊體積無法減小。
此外,3C電子產品需高電壓(例如1V)低電流的電力供給,當串聯多個太陽能電池時雖可提供足夠的電壓驅動電子產品,但其電流過大卻有可能造成產品損毀。
發明內容
本發明的一技術示例為一種太陽能電池。
根據本發明一實施方式,一種太陽能電池包含結晶硅基材、多個P型半導體材料層、多個N型半導體材料層、多個第一正極集電部、至少一第一電極總線部、多個第一負極集電部、多個第二正極集電部、至少一第二電極總線部、多個第二負極集電部與至少一第三電極總線部。結晶硅基材具有相對的迎光面與背光面。N型半導體材料層與P型半導體材料層間隔地交替排列在結晶硅基材的背光面上。第一正極集電部排列于結晶硅基材的背光面,且分別電性接觸P型半導體材料層其中至少一者。第一電極總線部位于結晶硅基材的背光面,,并電性連接第一正極集電部。第一負極集電部與第一正極集電部間隔地交替排列于結晶硅基材的背光面,且第一負極集電部分別電性接觸N型半導體材料層其中至少一者。第二正極集電部排列于結晶硅基材的背光面,且分別電性接觸P型半導體材料層其中至少一者。第二電極總線部位于結晶硅基材的背光面,并電性連接第一負極集電部與第二正極集電部。第二負極集電部與第二正極集電部間隔地交替排列于結晶硅基材的背光面,且第二負極集電部分別電性接觸N型半導體材料層其中至少一者。第三電極總線部位于結晶硅基材的背光面,并電性連接第二負極集電部。
在本發明一或多個實施方式中,上述第二電極總線部位于第一電極總線部與第三電極總線部之間。
在本發明一或多個實施方式中,上述每一第一正極集電部與每一第一負極集電部在結晶硅基材的背光面上的俯視形狀大致呈條狀。
在本發明一或多個實施方式中,上述太陽能電池更包含保護層。保護層覆蓋P型半導體材料層與N型半導體材料層。保護層具有多個正極導電開口與多個負極導電開口貫穿保護層,且第一正極集電部與第二正極集電部分別通過正極導電開口其中至少一者電性接觸P型半導體材料層其中至少一者。第一負極集電部與第二負極集電部分別通過負極導電開口其中至少一者電性接觸N型半導體材料層其中至少一者。
在本發明一或多個實施方式中,上述第一負極集電部與第二正極集電部分別連接于第二電極總線部的相對兩側。
在本發明一或多個實施方式中,上述每一第二正極集電部與每一第二負極集電部在結晶硅基材的背光面上的俯視形狀大致呈條狀。
在本發明一或多個實施方式中,上述第二電極總線部在結晶硅基材的背光面上的俯視形狀大致呈鋸齒狀。
在本發明一或多個實施方式中,上述第一正極集電部與第一電極總線部在結晶硅基材的背光面上的整體俯視形狀大致呈梳狀。
在本發明一或多個實施方式中,上述第一負極集電部、第二正極集電部與第二電極總線部在結晶硅基材的背光面上的整體俯視形狀大致呈梳狀。
在本發明一或多個實施方式中,上述第二負極集電部與第三電極總線部在結晶硅基材的背光面上的整體俯視形狀大致呈梳狀。
在本發明一或多個實施方式中,上述正極導電開口的形狀為圓形、三角形、N邊形或上述的組合,N為大于或等于4的自然數。
在本發明一或多個實施方式中,上述負極導電開口的形狀為圓形、三角形、N邊形或上述的組合,N為大于或等于4的自然數。
在本發明一或多個實施方式中,上述第一負極集電部、第二正極集電部與第二電極總線部為一體成型。
在本發明一或多個實施方式中,上述結晶硅基材的材質包含單晶硅或多晶硅。
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H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





