[發(fā)明專利]射頻低噪聲放大器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310029868.X | 申請日： | 2013-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN103095223A | 公開（公告）日： | 2013-05-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 魯華祥;景一歐;邊昳 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號： | H03F1/26 | 分類號： | H03F1/26;H03F3/189 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 射頻 低噪聲放大器 | ||
1.一種射頻低噪聲放大器，其特征在于，包括：差分共柵電路和差分交叉耦合共柵電路，其中：
差分共柵電路為主放大器，包括：第一MOS管和第二MOS管，其中：第一MOS管為NMOS管，其源端連接射頻信號輸入正端；其漏端連接至射頻信號輸出正端，并通過第一電阻連接至電壓源正端；其柵端通過第五電阻連接至偏置電壓第1端；第二MOS管為NMOS管，其源端連接射頻信號輸入負(fù)端；其漏端連接至射頻信號輸出負(fù)端，并通過第二電阻連接至電壓源正端；其柵端通過第六電阻連接至偏置電壓第1端；
差分交叉耦合共柵電路，為增加主放大器跨導(dǎo)的輔助放大器，包括：第三MOS管、第四MOS管、第一電容和第二電容，其中：第三MOS管為PMOS管，其源端連接至射頻信號輸入正端，其漏端通過第三電阻連接至電壓源負(fù)端，其柵端通過第七電阻連接至偏置電壓第2端，并通過第一電容連接至第四MOS管的源端；第四MOS管是PMOS管，其源端連接至射頻信號輸入負(fù)端，其漏端通過第四電阻連接至電壓源負(fù)端，其柵端通過第八電阻連接至偏置電壓第2端，并通過第二電容連接至第三MOS管的源端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻低噪聲放大器，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管為MOSFET型晶體管或BJT型晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻低噪聲放大器，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管、第三晶體管和第四晶體管M4的寬長比分別為6.4/0.18，6.4/0.18，12/0.18，12/0.18。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻低噪聲放大器，其特征在于，所述第一電容、第二電容、第三電容和第四電容為MIM電容、PIP電容或者M(jìn)OM電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻低噪聲放大器，其特征在于，第一電容、第二電容、第三電容和第四電容的電容值均為1.3pF。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻低噪聲放大器，其特征在于，所述第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻、第八電阻為多晶硅電阻。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的射頻低噪聲放大器，其特征在于，所述第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻和第八電阻的電阻值分別為1200ohm、1200ohm、450ohm、450ohm、15000ohm、15000ohm、15000ohm、15000ohm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的射頻低噪聲放大器，其特征在于，所述偏置電壓第1端和第2端的輸入電壓分別為1.2V，0.2V，所述電壓源電壓為1.8V。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，未經(jīng)中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310029868.X/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
