[發(fā)明專利]電荷泵電路及存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310029800.1 | 申請日： | 2013-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN103107695A | 公開（公告）日： | 2013-05-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊光軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | H02M3/07 | 分類號： | H02M3/07;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電荷 電路 存儲器 | ||
1.一種電荷泵電路，其特征在于，包括時鐘驅(qū)動單元、升壓單元、上升擺幅控制單元、第一NMOS管、第一電流鏡單元、第二NMOS管以及第二電流鏡單元，其中：
時鐘驅(qū)動單元，基于第二電流鏡單元輸出的第二鏡像電流形成時鐘驅(qū)動信號并輸出至升壓單元；
升壓單元，基于所述時鐘驅(qū)動信號提升電壓，輸出升壓電壓至上升擺幅控制單元和第一電流鏡單元；
上升擺幅控制單元，基于所述升壓電壓輸出上升擺幅控制信號至第一NMOS管的柵極；
第一電流鏡單元，包括柵極相連的第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源極和所述第二PMOS管的源極連接并輸入所述升壓電壓、漏極和柵極均與所述第一NMOS管的漏極連接，所述第二PMOS管的漏極輸出第一鏡像電流；
所述第一NMOS管的源極為所述電荷泵電路的輸出端，所述第二NMOS管的柵極輸入第一電壓、漏極與所述第二PMOS管的漏極連接；
第二電流鏡單元，包括柵極相連的第三NMOS管和第四NMOS管，所述第三NMOS管的源極輸入第二電壓、漏極和柵極均與所述第二NMOS管的源極連接，所述第四NMOS管的源極輸入所述第二電壓、漏極輸出所述第二鏡像電流，所述第二電壓小于所述第一電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電荷泵電路，其特征在于，所述第一PMOS管的溝道寬長比大于所述第二PMOS管的溝道寬長比。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電荷泵電路，其特征在于，所述第四NMOS管的溝道寬長比大于所述第三NMOS管的溝道寬長比。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電荷泵電路，其特征在于，所述第一電壓為電源電壓，所述第二電壓為地線電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電荷泵電路，其特征在于，所述第一NMOS管為零閾值NMOS管。
6.一種存儲器，包括擦除控制單元、譯碼電路和存儲陣列，其特征在于，還包括權(quán)利要求1至5任一項所述的電荷泵電路。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備；直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換；以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M3-00 直流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M3-02 .沒有中間變換為交流的
H02M3-22 .帶有中間變換為交流的
H02M3-24 ..用靜態(tài)變換器的
H02M3-34 ..用動態(tài)變換器的
H02M3-44 ..由靜態(tài)變換器與動態(tài)變換器組合的；由機(jī)電變換器與另一動態(tài)變換器或靜態(tài)變換器組合的
