[發明專利]底部陽極肖特基二極管

有效

• 申請號: 201310029746.0
• 申請日: 2008-06-12
• 公開（公告）號: CN103137712A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 弗蘭茨娃·赫爾伯特
• 申請（專利權）人: 萬國半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/40
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;張妍

1.一種底部陽極肖特基二極管，其特征在于，該肖特基二極管包括設置在半導體襯底的底表面上的陽極電極，所述底部陽極肖特基二極管進一步包括：

設置在所述半導體襯底深處的下沉摻雜區域，該下沉摻雜區域基本延伸到設置在所述半導體襯底的底表面上的陽極電極，該下沉摻雜區域由具有肖特基陽極功能的埋設肖特基勢壘金屬覆蓋；以及

所述的底部陽極肖特基二極管進一步包括從與所述肖特基勢壘金屬層相對的半導體襯底的頂表面附近的陰極電極橫向延伸的橫向陰極區域，其中，該橫向陰極區域摻以與所述下沉摻雜區域相反的雜質并鄰接所述下沉摻雜區域，從而在施加正向偏壓下通過所述橫向陰極區域和所述下沉摻雜區域在所述陰極電極和所述陽極電極之間形成電流路徑，在施加反向偏壓下所述下沉摻雜區域耗盡所述陰極區域從而阻斷漏電流；

所述的陰極區域進一步包括陰極接觸摻雜區域，為了接觸覆蓋所述陰極接觸摻雜區域的陰極勢壘金屬，該陰極接觸區域摻以較高的摻雜濃度；

該底部陽極肖特基二極管進一步包括：覆蓋所述陰極區域的氧化層，該氧化層使所述埋設肖特基勢壘金屬與所述陰極接觸摻雜區域絕緣；

該底部陽極肖特基二極管進一步包括：

覆蓋所述陰極區域的場氧化層，該場氧化層使所述埋設肖特基勢壘金屬與所述陰極接觸摻雜區域絕緣；以及

所述埋設肖特基勢壘金屬在所述場氧化層的頂表面上延伸以作為場平板；

該底部陽極肖特基二極管進一步包括：

覆蓋所述陰極區域的氧化層，該氧化層使所述埋設肖特基勢壘金屬與所述陰極接觸摻雜區域絕緣；以及

所述埋設肖特基勢壘金屬在所述氧化層的端表面自對準并截斷；

該底部陽極肖特基二極管進一步包括：覆蓋所述陰極區域并使所述埋設肖特基勢壘金屬與所述陰極接觸摻雜區域絕緣的氧化層，和覆蓋所述埋設肖特基勢壘金屬和所述氧化層的硼磷硅玻璃鈍化層；

該底部陽極肖特基二極管進一步包括：設置在所述底部陽極肖特基二極管頂部的陰極金屬，該陰極金屬電接觸所述陰極區域，從而具有所述陰極電極的功能；

該底部陽極肖特基二極管進一步包括：覆蓋所述陰極區域并使所述埋設肖特基勢壘金屬與所述陰極接觸摻雜區域絕緣的場氧化層，和用覆蓋在所述場氧化層上的氧化層覆蓋的多晶硅場平板。

2.如權利要求1所述的底部陽極肖特基二極管，其特征在于，所述的半導體襯底是P-型襯底，所述的下沉摻雜區域是P-型摻雜區域，以及所述的陰極區域是N-型摻雜區域。

3.如權利要求1所述的底部陽極肖特基二極管，其特征在于，該底部陽極肖特基二極管進一步包括：覆蓋所述陰極區域的氧化層，該氧化層使所述埋設肖特基勢壘金屬與所述陰極接觸摻雜區域絕緣。

4.如權利要求1所述的底部陽極肖特基二極管，其特征在于，該底部陽極肖特基二極管進一步包括：

覆蓋所述陰極區域的場氧化層，該場氧化層使所述埋設肖特基勢壘金屬與所述陰極接觸摻雜區域絕緣；以及

所述埋設肖特基勢壘金屬在所述場氧化層的頂表面上延伸以作為場平板。

5.如權利要求1所述的底部陽極肖特基二極管，其特征在于，該底部陽極肖特基二極管進一步包括：

覆蓋所述陰極區域的氧化層，該氧化層使所述埋設肖特基勢壘金屬與所述陰極接觸摻雜區域絕緣；以及

所述埋設肖特基勢壘金屬在所述氧化層的端表面自對準并截斷。

6.如權利要求1所述的底部陽極肖特基二極管，其特征在于，該底部陽極肖特基二極管進一步包括：覆蓋所述陰極區域并使所述埋設肖特基勢壘金屬與所述陰極接觸摻雜區域絕緣的氧化層，和覆蓋所述埋設肖特基勢壘金屬和所述氧化層的硼磷硅玻璃鈍化層。

7.如權利要求1所述的底部陽極肖特基二極管，其特征在于，該底部陽極肖特基二極管進一步包括：設置在所述底部陽極肖特基二極管頂部的陰極金屬，該陰極金屬電接觸所述陰極區域，從而具有所述陰極電極的功能。

8.如權利要求1所述的底部陽極肖特基二極管，其特征在于，所述的半導體襯底是在其上支撐P-型外延層的P-型襯底，所述的下沉摻雜區域是從所述外延層延伸到所述P-型襯底的P-型摻雜區域。