[發(fā)明專利]一種AgSbTe2單晶納米線陣列的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310029729.7 | 申請(qǐng)日： | 2013-01-25 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103074687A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-05-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊友文;李天應(yīng);朱文斌;馬東明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 合肥工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C30B30/02 | 分類號(hào)： | C30B30/02;C30B29/46;C30B29/62 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安專利代理有限責(zé)任公司 34101 | 代理人： | 吳啟運(yùn) |
| 地址： | 230009 *** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 agsbte sub 納米 陣列 制備 方法 | ||
1.一種AgSbTe2單晶納米線陣列的制備方法，包括多孔氧化鋁模板的制備、電解液的配制、電化學(xué)沉積以及后處理各單元過(guò)程，其特征在于：
所述多孔氧化鋁模板的制備是采用二次陽(yáng)極氧化法制備多孔氧化鋁模板，所述多孔氧化鋁模板中均布孔徑50nm的納米孔，在所述多孔氧化鋁模板的反面通過(guò)真空蒸鍍沉積一層200nm厚的金膜，得到鍍金氧化鋁模板；
所述電解液的配制是配制濃度為0.23mol.L-1的酒石酸水溶液即為緩沖溶液，向所述緩沖溶液中加入TeO2、KSbOC4H4O6·1/2H2O和AgNO3，使得緩沖溶液中TeO2、KSbOC4H4O6·1/2H2O和AgNO3的濃度分別為1mmol.L-1、0.5mmol.L-1和0.5mmol.L-1，攪拌混合均勻得到電解液；
所述電化學(xué)沉積是以鍍金氧化鋁模板為陰極，以石墨作為陽(yáng)極，在所述電解液中通過(guò)電化學(xué)沉積得到單晶AgSbTe2納米線陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：
電化學(xué)沉積的溫度為室溫，時(shí)間為8小時(shí)，電壓為0.9V。
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