[發明專利]一種AgSbTe2單晶納米線陣列的制備方法有效
| 申請號： | 201310029729.7 | 申請日： | 2013-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN103074687A | 公開（公告）日： | 2013-05-01 |
| 發明（設計）人： | 楊友文;李天應;朱文斌;馬東明 | 申請（專利權）人： | 合肥工業大學 |
| 主分類號： | C30B30/02 | 分類號： | C30B30/02;C30B29/46;C30B29/62 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司 34101 | 代理人： | 吳啟運 |
| 地址： | 230009 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 agsbte sub 納米 陣列 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種AgSbTe2單晶納米線陣列的制備方法，包括多孔氧化鋁模板的制備、電解液的配制、電化學沉積以及后處理各單元過程，其特征在于：
所述多孔氧化鋁模板的制備是采用二次陽極氧化法制備多孔氧化鋁模板，所述多孔氧化鋁模板中均布孔徑50nm的納米孔，在所述多孔氧化鋁模板的反面通過真空蒸鍍沉積一層200nm厚的金膜，得到鍍金氧化鋁模板；
所述電解液的配制是配制濃度為0.23mol.L-1的酒石酸水溶液即為緩沖溶液，向所述緩沖溶液中加入TeO2、KSbOC4H4O6·1/2H2O和AgNO3，使得緩沖溶液中TeO2、KSbOC4H4O6·1/2H2O和AgNO3的濃度分別為1mmol.L-1、0.5mmol.L-1和0.5mmol.L-1，攪拌混合均勻得到電解液；
所述電化學沉積是以鍍金氧化鋁模板為陰極，以石墨作為陽極，在所述電解液中通過電化學沉積得到單晶AgSbTe2納米線陣列。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：
電化學沉積的溫度為室溫，時間為8小時，電壓為0.9V。
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