[發明專利]高效率溝槽式絕緣柵雙極型晶體管IGBT

有效

• 申請號: 201310029360.X
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN103094331A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 關仕漢;呂新立
• 申請（專利權）人: 淄博美林電子有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/10
• 代理公司: 淄博佳和專利代理事務所 37223
• 代理人: 孫愛華

1.高效率溝槽式絕緣柵雙極型晶體管IGBT，包括主體P+Substrate（1）、在主體P+Substrate?（1）上方的第一層外延緩沖層（2）、在第一層外延緩沖層（2）上方的第二層外延漂移層（3）、P型區P-body（4）、多晶硅（7）和多晶硅外周的溝槽（6），其特征在于：在第二層外延漂移層（3）上方增設包括N層、P型區P-body區域在內的第三層外延層（5）。

2.根據權利要求1所述的高效率溝槽式絕緣柵雙極型晶體管IGBT，其特征在于：外延層摻雜濃度為第一層外延緩沖層（2）濃度為2×10¹⁵-2×10¹⁶個最濃，第二層外延漂移層（3）濃度為2×10¹³-2×10¹⁴個最淡，第三層外延層（5）濃度為2×10¹⁴-1×10¹⁵個濃度介于第一層外延緩沖層（2）與第二層外延漂移層（3）之間。

3.根據權利要求1或2所述的高效率溝槽式絕緣柵雙極型晶體管IGBT，其特征在于：溝槽（6）為穿透N⁺和P型區P-body在N層內結構。

4.根據權利要求1或2所述的高效率溝槽式絕緣柵雙極型晶體管IGBT，其特征在于：溝槽（6）為穿透N⁺、P型區P-body和N層結構。