[發(fā)明專利]一種微小衛(wèi)星用芯片的篩選方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310028660.6
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN103091625A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張育林;宋新;陳利虎;繩濤;趙勇;程云
• 申請（專利權(quán)）人: 中國人民解放軍國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28;G01R31/308
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明

1.一種微小衛(wèi)星用芯片的篩選方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）抽選同一批次的芯片進(jìn)行破壞性試驗(yàn)，所述破壞性試驗(yàn)用于評估芯片工藝和材料性能，以得到檢測結(jié)果合格的芯片；

（2）將所述經(jīng)破壞性試驗(yàn)的檢測結(jié)果為合格的芯片進(jìn)行可靠性篩選，所述可靠性篩選用于評估芯片使用壽命，以得到可應(yīng)用于微小衛(wèi)星的芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的篩選方法，其特征在于，所述破壞性試驗(yàn)包括以下步驟：

（1）將所述芯片進(jìn)行輻照檢測；

（2）將進(jìn)行所述輻照檢測合格的芯片進(jìn)行超聲波掃描，以得到所述超聲波掃描檢測結(jié)果合格的芯片；

（3）將所述超聲波掃描檢測合格的芯片進(jìn)行DPA分析，以得到所述經(jīng)破壞性實(shí)驗(yàn)檢測結(jié)果合格的芯片。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的篩選方法，其特征在于，所述輻照檢測為將芯片篩選板加電狀態(tài)下，放置在劑量率為2rad/s的輻射中放置1.5小時(shí)，若芯片運(yùn)行正常，則輻照檢測合格。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的篩選方法，其特征在于，所述超聲波掃描為將所述輻照檢測合格的芯片在1～10MHz頻率的超聲波下掃描。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的篩選方法，其特征在于，所述DPA分析包括外觀檢查、X射線掃描、開帽后內(nèi)部目檢、鍵合強(qiáng)度檢查、SEM檢查。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的篩選方法，其特征在于，所述可靠性篩選包括以下步驟：

（1）將所述經(jīng)破壞性試驗(yàn)合格的芯片進(jìn)行溫度循環(huán)檢測；

（2）將進(jìn)行所述溫度循環(huán)檢測合格的芯片進(jìn)行力學(xué)振動(dòng)檢測；

（3）將進(jìn)行所述力學(xué)振動(dòng)檢測合格的芯片進(jìn)行高溫檢測，得到所述可應(yīng)用于微小衛(wèi)星的芯片。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的篩選方法，其特征在于，所述溫度循環(huán)檢測為將所述經(jīng)破壞性試驗(yàn)合格的芯片放置在壓力為6.5×10^-3Pa，溫度為75℃的環(huán)境中，以1～3℃/min的速度降溫，當(dāng)溫度為-30℃后停止降溫，再以1～3℃/min溫度進(jìn)行升溫，待溫度達(dá)到75℃時(shí)停止升溫；將芯片取出，放置在常壓，溫度為75℃的環(huán)境中，以3～5℃/min的速度降溫，當(dāng)溫度為-30℃后停止降溫，循環(huán)降溫和升溫2.5次，待溫度達(dá)到75℃時(shí)停止升溫，將芯片取出，若芯片運(yùn)行正常則溫度循環(huán)檢測合格。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的篩選方法，其特征在于，所述力學(xué)振動(dòng)檢測為將所述溫度循環(huán)檢測合格的芯片放置在20～2000Hz的振動(dòng)頻率、加速度為4g下振動(dòng)60s，若芯片運(yùn)行正常，則力學(xué)振動(dòng)檢測合格。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的篩選方法，其特征在于，所述高溫檢測為將所述芯片安裝在測試板上，加電狀態(tài)下在85℃下連續(xù)工作48小時(shí)，若芯片運(yùn)行正常，則高溫檢測合格。