[發(fā)明專利]應(yīng)用于MEMS超級電容器的復(fù)合膜電極材料的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310028279.X
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN103093972A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱平;霍曉濤;熊繼軍;蔡婷;李丹;魏麗玲
• 申請（專利權(quán)）人: 中北大學(xué)
• 主分類號: H01G11/86
• 分類號: H01G11/86;H01G11/30
• 代理公司: 太原科衛(wèi)專利事務(wù)所(普通合伙) 14100
• 代理人: 朱源

1.一種應(yīng)用于MEMS超級電容器的復(fù)合膜電極材料的制備方法，其特征在于：該方法是采用如下步驟實現(xiàn)的：

1）向蒸餾水中加入導(dǎo)電聚合物單體，使得導(dǎo)電聚合物單體的濃度為0.05mol/L~0.1mol/L；然后加入支持電解質(zhì)，使得支持電解質(zhì)的濃度為0.1mol/L~0.3mol/L；最后加入導(dǎo)電性碳材料，在20℃~40℃下超聲振蕩1~2小時，制得電化學(xué)沉積用復(fù)合溶液；

2）選取MEMS超級電容器的集流體作為工作電極；選取鉑片作為對電極，選取飽和甘汞電極作為參比電極；然后將工作電極、對電極、參比電極同時置于電化學(xué)沉積用復(fù)合溶液中進行循環(huán)伏安法電化學(xué)聚合；當(dāng)進行循環(huán)伏安法電化學(xué)聚合時，在-0.4V~1.1V電壓范圍內(nèi)循環(huán)伏安掃描40~60圈，掃描速率為100mV/s，聚合時間為20~30分鐘；待循環(huán)伏安法電化學(xué)聚合完成后，工作電極上即得到一層均勻的導(dǎo)電聚合物/導(dǎo)電性碳材料復(fù)合膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于MEMS超級電容器的復(fù)合膜電極材料的制備方法，其特征在于：所述步驟1）中，所述導(dǎo)電聚合物單體為吡咯或苯胺或噻吩。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于MEMS超級電容器的復(fù)合膜電極材料的制備方法，其特征在于：所述步驟1）中，所述支持電解質(zhì)為十二烷基苯磺酸鹽或?qū)谆交撬猁}或高氯酸鹽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于MEMS超級電容器的復(fù)合膜電極材料的制備方法，其特征在于：所述步驟1）-2）中，所述導(dǎo)電性碳材料為石墨烯或氧化石墨烯。