[發明專利]工具優化調節系統和相關方法有效
| 申請號: | 201310028026.2 | 申請日: | 2013-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN103811379A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發明(設計)人: | 蔡柏灃;何家棟;巫尚霖;王若飛;牟忠一;林進祥 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 工具 優化 調節 系統 相關 方法 | ||
1.一種調節加工工具的工藝參數使得被所述加工工具加工的晶圓呈現出期望的工藝監測項目的方法,所述方法包括:
限定行為約束準則和靈敏度調節準則;
利用與所述加工工具所加工的晶圓相關聯的工藝監測項目數據、與所述工藝監測項目對每個工藝參數的靈敏度相關聯的靈敏度數據、所述行為約束準則以及所述靈敏度調節準則來生成一組可能的工具調節工藝參數組合;
通過所述一組可能的工具調節工藝參數組合來生成一組最優的工具調節工藝參數組合;以及
根據所述最優的工具調節工藝參數組合中的一個來配置所述加工工具。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,N個工藝參數與所述加工工具相關,所述方法還包括選擇用于調節的所述N個工藝參數的數量(n),使得所述一組可能的工具調節工藝參數組合包括用于n個工藝參數的各種工具調節組合。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,生成所述一組可能的工具調節工藝參數組合包括:
生成第一數量的可能的工具調節工藝參數組合;
通過所述第一數量的可能的工具調節工藝參數組合來生成第二數量的可能的工具調節工藝參數組合,所述第二數量大于所述第一數量;以及
通過所述第二數量的可能的工具調節工藝參數組合生成第三數量的可能的工具調節工藝參數組合,所述第三數量小于所述第二數量。
4.根據權利要求3所述的方法,其中,生成所述一組可能的工具調節工藝參數組合還包括:通過所述第三數量的可能的工具調節工藝參數組合生成第四數量的可能的工具調節工藝參數組合,所述第四數量小于所述第三數量。
5.根據權利要求4所述的方法,其中,生成所述第四數量的可能的工具調節工藝參數組合包括將所述靈敏度調節準則應用于所述第三數量的可能的工具調節工藝參數組合。
6.根據權利要求3所述的方法,其中,生成所述第一數量的可能的工具調節工藝參數組合包括:利用所述工藝監測項目數據和所述靈敏度數據生成用于每個工藝參數的一組工藝參數值。
7.根據權利要求6所述的方法,其中,生成所述第二數量的可能的工具調節工藝參數組合包括對于每個工藝參數都實施擴增工藝以擴展每一組工藝參數值。
8.根據權利要求7所述的方法,其中,生成所述第三數量的可能的工具調節工藝參數組合包括:
確定所述第二數量是否大于可能的工具調節工藝參數組合的預定數量;以及
對至少一組工藝參數值實施修整工藝,直到可能的工具調節工藝參數組合的數量小于或等于所述預定數量。
9.一種方法,包括:
用加工工具來加工晶圓;以及
確定與所述加工工具所加工的晶圓相關聯的工藝監測項目數據是否在規范內,使得:
如果所述工藝監測項目數據在所述規范內,則釋放所述加工工具用于生產,而
如果所述工藝監測項目數據不在所述規范內,則調節所述加工工具的工藝參數工具集,其中,調節包括:
限定行為約束準則和靈敏度調節準則;
利用與所述加工工具加工的晶圓相關聯的工藝監測項目數據、與所述工藝監測項目對每個工藝參數的靈敏度相關聯的靈敏度數據、所述行為約束準則以及所述靈敏度調節準則來生成一組可能的工具調節工藝參數組合;
通過所述一組可能的工具調節工藝參數組合生成一組最優的工具調節工藝參數組合;
根據所述最優的工具調節工藝參數組合中的一個配置所述加工工具;以及
重復加工晶圓以及確定與所述加工工具所加工的晶圓相關聯的工藝監測項目數據是否在所述規范內的步驟,直到所述加工工具被釋放用于生產。
10.一種集成電路制造系統,包括:
加工工具,被配置為加工晶圓;以及
加工工具調節系統,被配置為確定用于所述加工工具的工藝參數工具集,所述加工工具調節系統包括工具調節方案模塊,所述工具調節方案模塊被配置為:
利用與所述加工工具所加工的晶圓相關聯的工藝監測項目數據、與所述工藝監測項目對每個工藝參數的靈敏度相關聯的靈敏度數據、預定的行為約束準則以及預定的靈敏度調節準則來生成一組可能的工具調節工藝參數組合,以及
通過所述一組可能的工具調節工藝參數組合來生成一組最優的工具調節工藝參數組合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





