[發明專利]一種在管式基底上制備半導體薄膜的生產設備

有效

• 申請號: 201310027701.X
• 申請日: 2013-01-24
• 公開（公告）號: CN103103503A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 焦飛;江濤;趙夔;陸真冀
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: C23C18/00
• 分類號: C23C18/00;C23C20/08;H01L31/18
• 代理公司: 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360
• 代理人: 張肖琪

1.一種在管式基底上制備半導體薄膜的生產設備，用于在管式太陽能電池的管式基底（0）上制備半導體薄膜，其特征在于，所述生產設備包括：液相循環加熱系統和反應槽（2）；其中，所述液相循環加熱系統包括高溫加熱箱（11）、輸出管（12）及回流管（13）；所述反應槽（2）內盛放反應溶液，相對的兩壁面的相應位置設置有通孔，管式基底（0）通過基底接口（21）從通孔密封插入反應槽（2），并通過所述基底接口（21）分別與輸出管（12）和回流管（13）連接；所述高溫加熱箱（11）內盛放加熱液體，加熱液體通過輸出管（12）流入管式基底（0）的內壁，再通過回流管（13）流回到高溫加熱箱（11）。

2.如權利要求1所述的生產設備，其特征在于，所述反應槽（2）的相對的兩壁面的相應位置設置有多對通孔，從而多個管式基底（0）分別通過基底接口（21）從通孔插入反應槽（2）中，連接管（22）將各個相鄰的管式基底（0）依次首尾串聯連接，所述連接管（22）與管式基底（0）之間通過所述基底接口（21）密封連接。

3.如權利要求1所述的生產設備，其特征在于，進一步，所述生產設備還包括反應溶液溢流循環系統，所述溢流循環系統包括：N個原液容器（31～3N）、配液槽（4）和溢出槽（6）；其中，所述N個原液容器（31～3N）分別通過各自的管道連接至配液槽（4）；所述配液槽（4）通過管道連接至反應槽（2）；所述反應槽（2）通過管道從頂壁連接至溢出槽（6）；所述溢出槽（6）通過管道從頂壁連接至配液槽（4），N為自然數。

4.如權利要求3所述的生產設備，其特征在于，進一步所述溢流循環系統設置有儲液槽（5），儲液槽（5）處于冷藏環境，所述配液槽（4）通過管道連接至儲液槽（5），所述儲液槽（5）經過管道連接至反應槽（2）。

5.如權利要求4所述的生產設備，其特征在于，所述配液槽（4）、儲液槽（5）和溢出槽（6）的頂部設置有各自的液位計（44）、（54）和（64）。

6.如權利要求4所述的生產設備，其特征在于，所述N個原液容器（31～3N）31～3N與配液槽（4）相連接的各個管道上、配液槽（4）與儲液槽（5）相連接的管道上、儲液槽（5）與反應槽（2）相連接的管道上以及溢出槽（6）與配液槽（4）相連接的管道上，分別設置有各自的閥門和液泵（V31～V3N）和（P31～P3N）、（V4）和（P4）、（V5）和（P5）以及（V6）和（P6）。

7.如權利要求6所述的生產設備，其特征在于，進一步包括檢測控制中心（8），通過控制線分別連接至所述N個原液容器（31～3N）與配液槽（4）相連接的管道上的各個閥門（V31～V3N）及所述配液槽（4）與儲液槽（5）相連接的管道上的閥門（V4）。

8.如權利要求3所述的生產設備，其特征在于，所述溢流循環系統還包括廢液處理槽（7），所述溢出槽（6）通過管道從底部連接至廢液處理槽（7）。

9.如權利要求4所述的生產設備，其特征在于，所述儲液槽（5）通過管道從反應槽（2）的底部連接至反應槽（2）。

10.如權利要求1所述的生產設備，其特征在于，在所述液相循環加熱系統的輸出管（12）上設置有液泵（P12）和閥門（V12）。