[發明專利]一種堿性拋光液及拋光方法有效
| 申請號: | 201310027550.8 | 申請日: | 2013-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN103965788B | 公開(公告)日: | 2017-10-13 |
| 發明(設計)人: | 周文婷;王晨;何華鋒 | 申請(專利權)人: | 安集微電子(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C09G1/02 | 分類號: | C09G1/02;H01L21/321 |
| 代理公司: | 北京大成律師事務所11352 | 代理人: | 李佳銘 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區張*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 堿性 拋光 方法 | ||
1.一種堿性拋光液,其特征在于,包含:研磨顆粒,唑類化合物,絡合劑,C1~C4季胺堿,調節硅片表面平整度的表面活性劑及聚羧酸烷基銨鹽;其中,所述的C1~C4季銨堿選自四甲基氫氧化銨(TMAH),四丁基氫氧化銨(TBAH),丁基三甲基氫氧化銨和三丁基甲基氫氧化銨中的一種或多種;所述的調節硅片表面平整度的表面活性劑為聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和/或壬基酚聚氧乙烯醚;所述的聚羧酸烷基銨鹽選自聚丙烯酸烷基銨鹽,聚馬來酸烷基銨鹽,丙烯酸和馬來酸共聚物烷基銨鹽中的一種或多種。
2.根據權利要求1所述的拋光液,其特征在于,所述研磨顆粒為氣相SiO2和溶膠SiO2中的一種或多種。
3.根據權利要求1所述的拋光液,其特征在于,所述的研磨顆粒濃度為質量百分比含量為3~15wt%。
4.根據權利要求3所述的拋光液,其特征在于,所述的研磨顆粒濃度為質量百分比含量為3~10wt%。
5.根據權利要求1所述的拋光液,其特征在于,所述的唑類化合物選自苯駢三氮唑(BTA),甲基苯駢三氮唑(TTA)及2,2'-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亞氨基]雙乙醇中的一種或多種。
6.根據權利要求1所述的拋光液,其特征在于,所述的唑類化合物的濃度為質量百分比0.005%~0.1wt%。
7.根據權利要求6所述的拋光液,其特征在于,所述的唑類化合物的濃度為質量百分比0.005%~0.05wt%。
8.根據權利要求1所述的拋光液,其特征在于,所述的絡合劑為氨基酸、檸檬酸、丙二酸、有機膦酸中的一種或多種。
9.根據權利要求8所述的拋光液,其特征在于,所述的有機膦酸為羥基亞乙基二膦酸(HEDP),2-磷酸丁烷-1,2,4-三羥酸(JH-906)中的一種或多種。
10.根據權利要求1所述的拋光液,其特征在于,所述的絡合劑的濃度為質量百分比0.05%~1wt%。
11.根據權利要求10所述的拋光液,其特征在于,所述的絡合劑的濃度為質量百分比0.05~0.5wt%。
12.根據權利要求1所述的拋光液,其特征在于,所述的C1~C4季銨堿的質量百分比含量為0.05~1wt%。
13.根據權利要求12所述的拋光液,其特征在于,所述的C1~C4季銨堿的質量百分比含量為0.05~0.5wt%。
14.根據權利要求1所述的拋光液,其特征在于,所述的調節硅片表面平整度的表面活性劑質量百分比含量為0.01~1wt%。
15.根據權利要求14所述的拋光液,其特征在于,所述的調節硅片表面平整度的表面活性劑質量百分比含量為0.01~0.5wt%。
16.根據權利要求1所述的拋光液,其特征在于,所述的聚羧酸烷基銨鹽中烷基鏈長為C3-C18。
17.根據權利要求1所述的拋光液,其特征在于,所述的聚羧酸烷基銨鹽質量百分比0.05%~1wt%。
18.根據權利要求1所述的拋光液,其特征在于,所述的聚羧酸烷基銨鹽質量百分比0.05%~0.5wt%。
19.根據權利要求1所述的拋光液,其特征在于,所述拋光液還包含氧化劑,所述氧化劑為過氧化氫。
20.根據權利要求19所述的拋光液,其特征在于,所述過氧化氫的質量百分比0.1~1wt%。
21.根據權利要求1所述的拋光液,其特征在于,所述的拋光液pH值為9-12。
22.根據權利要求1所述的拋光液,其特征在于,所述的拋光液還包含pH值調節劑,其中,所述pH值調節劑為堿或酸。
23.根據權利要求22所述的拋光液,其特征在于,所述的堿為KOH,所述的酸為HNO3。
24.一種如權利要求1-23任一項所述的拋光液在拋光阻擋層中的應用。
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