[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其自動外觀檢查方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310027247.8
• 申請日: 2013-01-24
• 公開（公告）號: CN103227123A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吉見英章;石部真三;黑瀬英司
• 申請（專利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 岳雪蘭

1.一種半導(dǎo)體裝置的自動外觀檢查方法，該所述半導(dǎo)體裝置具有：

護圈，其圍繞元件形成區(qū)域；

鈍化膜，其從所述元件形成區(qū)域的表面延伸并覆蓋在所述護圈上且在該護圈的外側(cè)具有端部；

鈍化膜除去區(qū)域，其從所述鈍化膜的端部延伸至所述半導(dǎo)體裝置的端部；

樹脂層，其經(jīng)由所述鈍化膜從所述元件形成區(qū)域延伸并覆蓋在除了所述護圈的與所述半導(dǎo)體裝置的各端部并列的一個或多個局部區(qū)域以外的所述護圈上且在所述鈍化膜除去區(qū)域具有前端部；

崩邊，其使所述鈍化膜除去區(qū)域從所述半導(dǎo)體裝置的端部向所述樹脂層的前端部方向延伸；

該半導(dǎo)體裝置的自動外觀檢查方法的特征在于，以局部未被所述樹脂層覆蓋的所述護圈的端部為基準(zhǔn)，測量該護圈端部與所述崩邊前端部的距離y以及該護圈端部與所述樹脂層前端部的距離x，如果y大于x，則判斷為外觀良品，如果y與x相等或y小于x，則判斷為外觀不良品。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的自動外觀檢查方法，其特征在于，未被所述樹脂層覆蓋的所述護圈的局部區(qū)域是成為所述半導(dǎo)體裝置的對角的一對或兩對的角部。

3.一種半導(dǎo)體裝置的自動外觀檢查方法，該所述半導(dǎo)體裝置具有：

護圈，其圍繞元件形成區(qū)域；

鈍化膜，其從所述元件形成區(qū)域的表面延伸并覆蓋在所述護圈上且在該護圈的外側(cè)具有端部；

鈍化膜除去區(qū)域，其從所述鈍化膜的端部延伸至所述半導(dǎo)體裝置的端部；

樹脂層，其經(jīng)由所述鈍化膜從所述元件形成區(qū)域延伸并覆蓋在所述護圈上且在所述鈍化膜除去區(qū)域具有前端部；

崩邊，其使所述鈍化膜除去區(qū)域從所述半導(dǎo)體裝置的端部向所述樹脂層的前端部方向延伸；

該所述半導(dǎo)體裝置的自動外觀檢查方法的特征在于，以所述半導(dǎo)體裝置被單個化之前的半導(dǎo)體晶片的劃線位置為基準(zhǔn)，測量該劃線至所述樹脂層前端部的距離x以及該劃線至所述崩邊前端部的距離y，如果x大于y，則判斷為外觀良品，如果x與y相等或x小于y，則判斷為外觀不良品。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的自動外觀檢查方法，其特征在于，具有覆蓋在比所述樹脂層的前端部靠近內(nèi)側(cè)的該樹脂層上的第二樹脂層。

5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的自動外觀檢查方法，其特征在于，層間絕緣膜在所述鈍化膜除去區(qū)域露出，所述崩邊由所述層間絕緣膜或半導(dǎo)體基板的一部分構(gòu)成。

6.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的自動外觀檢查方法，其特征在于，半導(dǎo)體基板在所述鈍化膜除去區(qū)域露出，所述崩邊由所述半導(dǎo)體基板的一部分構(gòu)成。

7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的自動外觀檢查方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置為晶片級封裝或倒裝芯片型。

8.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：

護圈，其圍繞元件形成區(qū)域；

鈍化膜，其從所述元件形成區(qū)域的表面延伸并覆蓋在所述護圈上，且在該護圈的外側(cè)具有端部；

鈍化膜除去區(qū)域，其從所述鈍化膜的端部延伸至所述半導(dǎo)體裝置的端部；

樹脂層，其經(jīng)由所述鈍化膜從所述元件形成區(qū)域延伸并覆蓋在除了所述護圈的與所述半導(dǎo)體裝置的各端部并列的一個或多個局部區(qū)域的所述護圈上，且在所述鈍化膜除去區(qū)域具有前端部；

崩邊，其使所述鈍化膜除去區(qū)域從所述半導(dǎo)體裝置的端部向所述樹脂層的前端部方向延伸。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，未被所述樹脂層覆蓋的所述護圈的局部區(qū)域是成為所述半導(dǎo)體裝置的對角的一對或兩對的角部。

10.如權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，層間絕緣膜在所述鈍化膜除去區(qū)域露出，所述崩邊由所述層間絕緣膜或半導(dǎo)體基板的一部分構(gòu)成。

11.如權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，半導(dǎo)體基板在所述鈍化膜除去區(qū)域露出，所述崩邊由所述半導(dǎo)體裝置的一部分構(gòu)成。

12.如權(quán)利要求8至11中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置為晶片級封裝或倒裝芯片型。