[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310027193.5 | 申請日： | 2013-01-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103681821A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 內(nèi)城竜生 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/739 | 分類號(hào)： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 張麗 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備：
第1導(dǎo)電類型的第1半導(dǎo)體層；
第2導(dǎo)電類型的第2半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第1半導(dǎo)體層之上；
第3半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第2半導(dǎo)體層之上，并且具有第1導(dǎo)電類型的第1半導(dǎo)體區(qū)域和第2導(dǎo)電類型的第2半導(dǎo)體區(qū)域沿著相對所述第1半導(dǎo)體層與所述第2半導(dǎo)體層的層疊方向垂直的第1方向交替排列的構(gòu)造；
第4半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第3半導(dǎo)體層之上，并且具有第1導(dǎo)電類型的第3半導(dǎo)體區(qū)域和第2導(dǎo)電類型的第4半導(dǎo)體區(qū)域沿著所述第1方向交替排列的構(gòu)造；
第1導(dǎo)電類型的第5半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第4半導(dǎo)體層之上；
第2導(dǎo)電類型的第6半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第5半導(dǎo)體層之上；
第1電極，隔著絕緣膜而與所述第6半導(dǎo)體層、所述第5半導(dǎo)體層以及所述第4半導(dǎo)體區(qū)域相接；
第2電極，與所述第6半導(dǎo)體層連接；以及
第3電極，與所述第1半導(dǎo)體層連接，
所述第1半導(dǎo)體區(qū)域與所述第3半導(dǎo)體區(qū)域連接，所述第2半導(dǎo)體區(qū)域與所述第4半導(dǎo)體區(qū)域連接，
所述第2半導(dǎo)體區(qū)域中包含的雜質(zhì)元素的濃度高于所述第1半導(dǎo)體區(qū)域中包含的雜質(zhì)元素的濃度，
所述第3半導(dǎo)體區(qū)域中包含的雜質(zhì)元素的濃度高于所述第4半導(dǎo)體區(qū)域中包含的雜質(zhì)元素的濃度，
所述第2半導(dǎo)體層的上端與所述第3半導(dǎo)體層和所述第4半導(dǎo)體層的界面之間的第1長度比所述界面與所述第5半導(dǎo)體層的下端之間的第2長度短。
2.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備：
第1導(dǎo)電類型的第1半導(dǎo)體層；
第2導(dǎo)電類型的第2半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第1半導(dǎo)體層之上；
第3半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第2半導(dǎo)體層之上，并且具有第1導(dǎo)電類型的第1半導(dǎo)體區(qū)域和第2導(dǎo)電類型的第2半導(dǎo)體區(qū)域沿著相對所述第1半導(dǎo)體層與所述第2半導(dǎo)體層的層疊方向垂直的第1方向交替排列的構(gòu)造；
第4半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第3半導(dǎo)體層之上，并且具有第1導(dǎo)電類型的第3半導(dǎo)體區(qū)域和第2導(dǎo)電類型的第4半導(dǎo)體區(qū)域沿著所述第1方向交替排列的構(gòu)造；
第1導(dǎo)電類型的第5半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第4半導(dǎo)體層之上；
第2導(dǎo)電類型的第6半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第5半導(dǎo)體層之上；
第1電極，隔著絕緣膜而與所述第6半導(dǎo)體層、所述第5半導(dǎo)體層以及所述第4半導(dǎo)體區(qū)域相接；
第2電極，與所述第6半導(dǎo)體層連接；以及
第3電極，與所述第1半導(dǎo)體層連接，
所述第2半導(dǎo)體區(qū)域中包含的雜質(zhì)元素的濃度高于所述第1半導(dǎo)體區(qū)域中包含的雜質(zhì)元素的濃度，
所述第3半導(dǎo)體區(qū)域中包含的雜質(zhì)元素的濃度高于所述第4半導(dǎo)體區(qū)域中包含的雜質(zhì)元素的濃度，
所述第2半導(dǎo)體層的上端與所述第3半導(dǎo)體層和所述第4半導(dǎo)體層的界面之間的第1長度比所述界面與所述第5半導(dǎo)體層的下端之間的第2長度短。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述第1半導(dǎo)體區(qū)域與所述第3半導(dǎo)體區(qū)域連接，所述第2半導(dǎo)體區(qū)域與所述第4半導(dǎo)體區(qū)域連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
所述第1半導(dǎo)體區(qū)域以及所述第2半導(dǎo)體區(qū)域與所述第2半導(dǎo)體層相接。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
