[發明專利]一種晶體硅太陽能電池擴散方法

無效

• 申請號: 201310026817.1
• 申請日: 2013-01-24
• 公開（公告）號: CN103066163A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 任現坤;李秉霖;姜言森;張春艷;程亮;賈河順;徐振華
• 申請（專利權）人: 山東力諾太陽能電力股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 宋玉霞

1.?一種晶體硅太陽能電池擴散方法，步驟包括：

（1）將制絨后的硅片表面制作結深為0.1-0.3微米的發射極，方阻為50-90ohm/sq；

（2）將步驟1所得硅片置于盛有1~10%氫氟酸中，反應時間30~100s，除去硅片表面上的磷硅玻璃；

（3）將步驟2所得硅片表面制作一層1-10nm的二氧化硅層。

2.?根據權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池擴散方法，其特征在于：步驟（1）中發射極制作過程為將硅片置入擴散爐中，同時通入大氮、小氮、氧氣，保持溫度750-850℃，時間為10-30min；將擴散爐溫度升至800-900℃，溫度穩定后，擴散結推進5-30min。

3.?根據權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池擴散方法，其特征在于：步驟3過程為將硅片置入氧化爐中，同時通入大氮、氧氣，保持溫度800-900℃，時間為5-10min。

4.?根據權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池擴散方法，其特征在于：所述的硅片為單晶硅、多晶硅或者準單晶硅中的一種。

5.?根據權利要求4所述的一種晶體硅太陽能電池擴散方法，其特征在于：所述的硅片為單晶硅或者準單晶硅。