[發(fā)明專利]低高低摻雜濃度的發(fā)射極結(jié)構(gòu)的太陽能電池制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310026814.8 | 申請日： | 2013-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN103094417A | 公開（公告）日： | 2013-05-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 任現(xiàn)坤;李秉霖;姜言森;張春艷;程亮;賈河順;徐振華 | 申請（專利權(quán)）人： | 山東力諾太陽能電力股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 濟南舜源專利事務(wù)所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 250103 山東省濟南*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高低 摻雜 濃度 發(fā)射極 結(jié)構(gòu) 太陽能電池 制作方法 | ||
1.?低高低摻雜濃度的發(fā)射極結(jié)構(gòu)的太陽能電池制作方法，步驟包括：
1）將制絨后的硅片表面制作結(jié)深為0.1-0.3微米的發(fā)射極，方阻為50-90ohm/sq；
2）將步驟1所得硅片進行周邊刻蝕、磷硅玻璃去除；
3）將步驟2所得硅片進行高溫退火；
4）將步驟3所得硅片再依次采用沉積氮化硅膜、絲印正反面電極和背鋁、燒結(jié)。
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的低高低摻雜濃度的發(fā)射極結(jié)構(gòu)的太陽能電池制作方法，其特征在于：步驟1中發(fā)射極制作過程為將硅片置入擴散爐中，同時通入大氮、小氮、氧氣，保持溫度750-850℃，時間為10-30min；將擴散爐溫度升至800-900℃，溫度穩(wěn)定后，擴散結(jié)推進5-30min。
3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的低高低摻雜濃度的發(fā)射極結(jié)構(gòu)的太陽能電池制作方法，其特征在于：步驟3中氧化過程為將硅片置入氧化爐中，通入大氮，保持溫度800-900℃，時間為5-10min。
4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的低高低摻雜濃度的發(fā)射極結(jié)構(gòu)的太陽能電池制作方法，其特征在于：步驟4中氮化硅膜的厚度為60-90nm，折射率為2.05-2.15。
5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的低高低摻雜濃度的發(fā)射極結(jié)構(gòu)的太陽能電池制作方法，其特征在于：所述的硅片為單晶硅、多晶硅或者準(zhǔn)單晶硅中的一種。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
