[發明專利]一種具有雙面異質結結構的太陽能電池及其制備方法

無效

• 申請號: 201310025860.6
• 申請日: 2013-01-23
• 公開（公告）號: CN103077993A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 廖廣蘭;史鐵林;譚先華;盛文軍;孫博;江婷
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01L31/072
• 分類號: H01L31/072;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 李佑宏

1.一種具有雙面異質結結構的太陽能電池，其中，該雙面異質結結構包括：

基底（3）；

生長或刻蝕在該基底（3）上的微米管（2）；

其特征在于，所述微米管（2）的內管壁和外管壁表面均生長或刻蝕有納米線（1）。

2.根據權利要求1所述具有雙面異質結結構的太陽能電池，所述微米管（2）的管體頂部端面也生長或刻蝕有納米線（1）。

3.根據權利要求1或2所述的具有雙面異質結結構的太陽能電池，其中，所述納米線（1）的材料為硅、二氧化鈦、氮化硅或氧化鋅。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的具有雙面異質結結構的太陽能電池，其中，所述納米線（1）的材料與基底（3）或微米管（2）的材料不同或相同。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的具有雙面異質結結構的太陽能電池，其中，所述納米線（1）的直徑優選可以為30nm～500nm。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的具有雙面異質結結構的太陽能電池，其中，所述微米管（2）呈陣列布置在基底（3）上。

7.一種具有雙面異質結結構的太陽能電池的制備方法，其包括制備雙面異質結結構的步驟，該步驟具體為：

制作基底（3）；

在所述基底（3）上生長或刻蝕微米管（2）陣列；

在上述微米管（2）的內管壁和外管壁表面均生長或刻蝕納米線（1）。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其中，在所述微米管（2）的管體頂部端面也生長或刻蝕納米線（1）。

9.根據權利要求7或8所述的制備方法，其中，還可以對所述納米線（1）進行參雜處理。