[發明專利]一種生成離線輔助程式方案的方法

有效

• 申請號: 201310025840.9
• 申請日: 2013-01-22
• 公開（公告）號: CN103943525B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 舒強;郝靜安
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/02;G06F17/50
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 董巍,高偉

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種生成離線輔助程式方案的方法。

背景技術

在半導體器件的制造工藝中，隨著半導體制造技術的發展，半導體器件的關鍵尺寸（Critical Dimension，CD）越來越小。相應地，關鍵尺寸一致性（Critical Dimension Uniformity，CDU）變得越來越重要，尤其當半導體制造技術的工藝節點發展到40nm及以下。

在現有技術中，可以通過采用輔助程式方案（sub-recipe），來改進跨芯片線寬變化（Across Chip Linewidth Variation，ACLV）和跨晶圓關鍵尺寸變化（Across Wafer CD Variation，AWLV）的情況，即改善集成電路的關鍵尺寸一致性（均勻度）。其中，輔助程式方案（sub-recipe）可以通過Dose Mapper（即DoMa）掃描工具獲得。Dose Mapper可以通過采用光刻能量補償關鍵尺寸誤差的方式，來提高集成電路的關鍵尺寸的一致性。

在現有技術中，生成輔助程式方案（sub-recipe）的方法，如圖1所示，一般包括如下步驟：

步驟E1：對晶圓（Wafer）進行試運行（Pi-run）的顯影后（ADI）關鍵尺寸數據收集。

步驟E2：對晶圓（Wafer）進行試運行（Pi-run）的刻蝕后（AEI）關鍵尺寸數據收集。

步驟E3：采集刻蝕后檢測（AEI）的關鍵尺寸（CD）數據。

在該步驟中，需要采集跨芯片線寬變化（Across Chip Linewidth Variation，ACLV）和跨晶圓關鍵尺寸變化（Across Wafer CD Variation，AWLV）的情況相關的數據。在現有技術中，為了保證后續可以生成滿足要求的輔助程式方案來改進關鍵尺寸一致性（CDU），一般需要采集大約68*15=1020個檢測點的數據（其中，檢測AWLV占去了絕大多數檢測點），而這將導致大量時間的占用測量工具，同時需要工程師投入大量的時間，從而導致工藝流程的循環時間會變長。

步驟E4：建立在線（inline）輔助程式方案。

即，根據前面采集的刻蝕后檢測（AEI）的關鍵尺寸（CD）數據，建立在線（inline）掃描器的輔助程式方案。建立的方法，可以通過本領域的常用工具軟件比如ASML公司的DoMa等來實現。

步驟E5：在晶圓上對輔助程式方案進行確認。

在步驟E5中，經過確認的滿足要求的輔助程式方案，可以用來改善關鍵尺寸均勻性（CDU）。

可見，在現有技術中，要生成輔助程式方案（sub-recipe），需要建立在線輔助程式方案，往往需要采集大量的關鍵尺寸數據（一般至少需要大于1000個采集點），因而往往需要較長時間的占用測量工具，并需要工程師投入大量的時間。即，生成一個輔助程式方案，往往需要較長的時間；這就導致了無法及時地改善關鍵尺寸一致性。

因此，需要提出一種新的生成輔助程式方案的方法，可以快速生成輔助程式方案（sub-recipe），進而可利用該輔助程式方案（sub-recipe）及時改善關鍵尺寸一致性。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供一種生成離線輔助程式方案的方法，該方法包括如下步驟：

步驟S101：建立作為基準的刻蝕后檢測的關鍵尺寸分布圖；

步驟S102：采集掩膜板的關鍵尺寸一致性數據；

步驟S103：根據所述的作為基準的刻蝕后檢測的關鍵尺寸分布圖和掩膜板的關鍵尺寸一致性數據，生成離線輔助程式方案。

其中，所述步驟S101包括：

步驟S1011：檢測多個晶圓的刻蝕后檢測的關鍵尺寸分布圖；

步驟S1012：根據多個晶圓的刻蝕后檢測的關鍵尺寸分布圖，建立作為基準的刻蝕后檢測的關鍵尺寸分布圖。

進一步的，在步驟S1011中，檢測多個晶圓的刻蝕后檢測的關鍵尺寸分布圖所采用的工具為光學關鍵尺寸測試工具。

進一步的，在步驟S1011中，檢測多個晶圓的刻蝕后檢測的關鍵尺寸分布圖所采用的工具為關鍵尺寸掃描電子顯微鏡。

其中，在所述步驟S102中，所述采集掩膜板的關鍵尺寸一致性數據，應當保證掩膜板關鍵尺寸一致性圖案覆蓋所述掩膜板的全部區域。

其中，在所述步驟S102中，所述采集掩膜板的關鍵尺寸一致性數據，應當保證選取的采集點不少于15個。