[發明專利]一種微米/納米二級表面陣列及其制備方法和用途

有效

• 申請號: 201310025758.6
• 申請日: 2013-01-21
• 公開（公告）號: CN103151397A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 任山;李立強;李明;劉珠鳳;洪瀾
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/18;F24J2/48
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 陳燕嫻

1.一種Cu₂S“仙人掌”微納二級陣列，其特征在于：納米尺寸的Cu₂S納米線生長在微米尺寸的Cu₂S球冠表面，Cu₂S球冠又周期性的分布在襯底的表面。?

2.根據權利要求1所述的Cu₂S“仙人掌”微納二級陣列，其特征在于：所述Cu₂S納米線的直徑為10-500nm，長度為100nm-500μm。?

3.根據權利要求1所述的Cu₂S“仙人掌”微納二級陣列，其特征在于：所述Cu₂S球冠的直徑為0.5-100μm，球冠之間的間隔為0.01-100μm。

4.根據權利要求1所述的Cu₂S“仙人掌”微納二級陣列，其特征在于：所述的襯底是陶瓷、云母、高分子塑料、金屬、硅片、玻璃或不銹鋼片中的一種。

5.權利要求1-4任一項所述的Cu₂S“仙人掌”微納二級陣列的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

(1)在導電襯底上，通過電化學沉積方法，制備具有球冠狀周期性起伏結構的銅膜；

(2)將沉積了銅膜的襯底與氧氣/硫化氫混合氣體混合，0-200℃下加熱1-500h，生成上述的Cu₂S“仙人掌”微納二級陣列。

6.根據權利要求5所述的Cu₂S“仙人掌”微納二級陣列的制備方法，其特征在于：步驟(1)所述的電化學沉積法為脈沖電化學沉積、恒壓電化學沉積或恒流電化學沉積；所述的沉積可以是采用一種電化學沉積方法共沉積也可以是采用其中的一種以上電化學沉積方法分步沉積。

7.根據權利要求5所述的Cu₂S“仙人掌”微納二級陣列的制備方法，其特征在于：步驟(2)所述的氧氣/硫化氫混合氣體中，硫化氫與氧氣的體積比為1∶(0-100)。

8.權利要求1-4任一項所述的Cu₂S“仙人掌”微納二級陣列在太陽能光電、光熱轉換中的應用。?