[發明專利]一種微米管制造工藝

無效

• 申請號: 201310025430.4
• 申請日: 2013-01-23
• 公開（公告）號: CN103091982A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 廖廣蘭;譚先華;史鐵林;高陽
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/20;B81C1/00;B81B1/00
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 李佑宏

1.一種微米管的制造工藝，其特征在于，具體包括：

在基底上旋涂光刻膠，使用圖形為圓形的掩模進行曝光，其中圓形掩膜的直徑等于所要加工的微米管的外徑；

將所述曝光后的基底放到顯影液中進行顯影，在基底上獲得光刻膠的微米管結構；

對所述顯影后帶有光刻膠微米管結構的基底進行刻蝕，即可在基底上獲得微米管陣列。

2.根據權利要求1所述的一種微米管的制造工藝，其中，旋涂的所述光刻膠厚度為圓形掩膜直徑的0.3-4倍，更優選為0.4~3倍，最優選為0.6~1倍。

3.根據權利要求1或2所述的一種微米管的制造工藝，其中，所述掩膜圓形的直徑為2-50μm。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的一種微米管的制造工藝，其中，在曝光時所述入射光從掩膜的上方垂直入射。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的一種微米管的制造工藝，其中，在曝光時，所述掩膜（3）的圓形區域下方的光刻膠在其深度方向上形成位于中央的圓柱形強光區（6）和位于該強光區（6）外周的筒形暗光區（5）。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的一種微米管陣列的制造工藝，其中，所述筒形暗光區（5）的筒臂厚度與所述微米管管壁厚度相等。

7.根據權利要求6所述的一種微米管的制造工藝，其中，所述光刻膠優選為正性光刻膠。

8.根據權利要求1-6中任一項所述的一種微米管的制造工藝，其中，所述基底材料可以為硅、玻璃、鍺或氮化硅。

9.根據權利要求1-6中任一項所述的一種微米管的制造工藝，其中，所述掩膜（3）可以為鉻膜。

10.應用權利要求1-9中任一項所述的微米管制造工藝制備的微米管。