[發(fā)明專利]用于相變存儲器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310025243.6 | 申請日： | 2013-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN103050624A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張中華;宋三年;宋志棠;呂葉剛 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;C22C12/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 相變 存儲器 ga ge sb te 薄膜 材料 | ||
1.一種用于相變存儲器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于：所述用于相變存儲器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料的通式為GaxGeySbzTew，其中0<x≤16，23≤y≤28，26≤z≤31，30≤w≤40。
2.根據權利要求1所述的用于相變存儲器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于：優(yōu)選通式為Ga6Ge28Sb26Te40。
3.根據權利要求1所述的用于相變存儲器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于：所述Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料采用濺射法、電子束蒸發(fā)法、化學氣相沉積法、及原子層沉積法中的一種形成。
4.根據權利要求3所述的用于相變存儲器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于：所述Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料采用GaSb和GST合金靶共濺射形成。
5.根據權利要求4所述的用于相變存儲器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于：所述Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料優(yōu)選采用GaSb和Ge3Sb2Te5合金靶共濺射形成。
6.根據權利要求5所述的用于相變存儲器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于：所述Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料優(yōu)選采用功率在9W至20W之間的GaSb合金靶和功率為25W的Ge3Sb2Te5合金靶共濺射形成。
7.根據權利要求6所述的用于相變存儲器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于：所述Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料采用GaSb和Ge3Sb2Te5合金靶在濺射氣壓為0.18帕斯卡至0.25帕斯卡之間共濺射形成。
8.根據權利要求7所述的用于相變存儲器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于：所述Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料采用GaSb和Ge3Sb2Te5合金靶共濺射30分鐘形成。
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