[發明專利]基于三碘化銫錫的光波導熒光聚光結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201310025173.4
• 申請日: 2013-01-24
• 公開（公告）號: CN103117320A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 任宇航;沈凱;張進
• 申請（專利權）人: 尚越光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/052
• 分類號: H01L31/052;H01L31/055;H01L31/18;G02B6/122;G02B6/13
• 代理公司: 杭州華知專利事務所 33235
• 代理人: 張德寶

1.一種基于三碘化銫錫的光波導熒光聚光結構，其特征在于：包括基片、鏡面反射層、內層分光薄膜、三碘化銫錫層和外層分光薄膜，所述的鏡面反射層設置在基片上，所述的內層分光薄膜設置在鏡面反射層上，所述的三碘化銫錫層設置在內層分光薄膜上，所述的外層分光薄膜設置在三碘化銫錫層上，三碘化銫錫層由三碘化銫錫或三碘化銫錫的衍生化合物組成。

2.根據權利要求1所述的基于三碘化銫錫的光波導熒光聚光結構，其特征在于：所述的鏡面反射層為金屬，鏡面反射層的厚度為5納米至1微米。

3.根據權利要求1所述的基于三碘化銫錫的光波導熒光聚光結構，其特征在于：所述三碘化銫錫層的厚度為100納米至2微米。

4.根據權利要求1所述的基于三碘化銫錫的光波導熒光聚光結構，其特征在于：所述的內層分光薄膜和外層分光薄膜由二氧化硅、氮化硅、氟化鎂或氧化鎂組成。

5.根據權利要求1或4所述的基于三碘化銫錫的光波導熒光聚光結構，其特征在于：所述內層分光薄膜和外層分光薄膜的厚度均為10納米至1微米。

6.一種基于三碘化銫錫的光波導熒光聚光結構的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

（a）制備基片；

（b）在基片上鍍制鏡面反射層；

（c）在鏡面反射層上鍍制內層分光薄膜；

（d）在內層分光薄膜上鍍制三碘化銫錫層；

（e）在三碘化銫錫層上鍍制外層分光薄膜。

7.根據權利要求6所述的基于三碘化銫錫的光波導熒光聚光結構的制備方法，其特征在于：所述的步驟（b）中，所述的鏡面反射層的鍍制方法為真空熱蒸發或真空濺射。

8.根據權利要求6所述的基于三碘化銫錫的光波導熒光聚光結構的制備方法，其特征在于：所述的步驟（d）中，所述的三碘化銫錫層的鍍制方法為電沉積、化學水熱法、化學水浴法、真空熱蒸發、真空濺射、滴涂、旋涂或超聲噴印。

9.根據權利要求6所述的基于三碘化銫錫的光波導熒光聚光結構的制備方法，其特征在于：所述的步驟（c）中，所述的內層分光薄膜的鍍制方法為真空熱蒸發或真空濺射。

10.根據權利要求6所述的基于三碘化銫錫的光波導熒光聚光結構的制備方法，其特征在于：所述的步驟（e）中，所述的外層分光薄膜的鍍制方法為真空熱蒸發或真空濺射。