[發明專利]電子元器件帶電粒子輻照效應地面等效注量計算方法無效
| 申請號： | 201310024890.5 | 申請日： | 2013-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN103116176A | 公開（公告）日： | 2013-05-22 |
| 發明（設計）人： | 李興冀;劉超銘;肖景東;楊德莊;何世禹 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | G01T1/02 | 分類號： | G01T1/02 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人： | 王艷萍 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子元器件 帶電 粒子 輻照 效應 地面 等效 計算方法 | ||
【權利要求書】：
1.電子元器件帶電粒子輻照效應地面等效注量計算方法，其特征在于該方法按以下步驟進行：
一、按電子元器件的服役軌道和服役時段，計算電子元器件所受到軌道帶電粒子能譜；
二、根據步驟一得到的軌道帶電粒子能譜，利用Monte-Carlo方法或GEANT4程序計算經防護層后到達電子元器件表面的在軌電離及位移吸收劑量D1，吸收劑量的單位為rad；
三、確定敏感區厚度，敏感區為MOS(MIS)Si體器件的柵氧區、雙極型器件的鈍化層和pn結；
四、根據步驟四得到的敏感區厚度，確定所選試驗條件下的粒子種類及能量，通過Monte-Carlo方法或GEANT4程序計算敏感區在試驗條件下的電離或位移吸收劑量D2；
五、按D1＝D2，計算實驗室條件下的等效注量Φ或輻照時間t。
2.根據權利要求1所述的電子元器件帶電粒子輻照效應地面等效注量計算方法，其特征在于軌道帶電粒子能譜為地球輻射帶質子能譜、地球輻射帶電子能譜、太陽宇宙線質子能譜或銀河宇宙線質子能譜。
3.根據權利要求1或2所述的電子元器件帶電粒子輻照效應地面等效注量計算方法，其特征在于步驟四中的粒子種類為高能電子源、質子源、重離子源、中子或Co-60源。
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