[發(fā)明專利]平板探測(cè)器及其制作方法、攝像裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310024573.3
• 申請(qǐng)日: 2013-01-23
• 公開（公告）號(hào): CN103094295A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝振宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及攝像領(lǐng)域，尤其涉及一種平板探測(cè)器及其制作方法，以及設(shè)置有所述平板探測(cè)器的攝像裝置。

背景技術(shù)

目前，數(shù)字化X線攝影(Digital?Radiography，DR)技術(shù)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療儀器，如拍攝X射線胸片的X射線機(jī)。DR裝置的關(guān)鍵部件是獲取圖像的平板探測(cè)器，其性能優(yōu)劣會(huì)對(duì)DR圖像質(zhì)量產(chǎn)生比較大的影響。

平板探測(cè)器可以分為兩種：非晶硒平板探測(cè)器和非晶硅平板探測(cè)器，其中，如圖1所示，非晶硒平板探測(cè)器主要由非晶硒層(圖1未示出)、像素電極3、存儲(chǔ)電容2和薄膜晶體管(開關(guān)TFT)1構(gòu)成。入射的X射線使非晶硒層產(chǎn)生電子空穴對(duì)，在外加偏壓電場作用下，電子和空穴對(duì)向相反的方向移動(dòng)形成電流，電流經(jīng)像素電極3，在存儲(chǔ)電容2中形成儲(chǔ)存電荷，在薄膜晶體管1打開時(shí)輸出到讀出電路。經(jīng)每一TFT輸出的儲(chǔ)存電荷量對(duì)應(yīng)于入射X射線的劑量，通過讀出電路可以知道每一像素點(diǎn)的電荷量，進(jìn)而知道每一像素點(diǎn)的X線劑量。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)：在設(shè)計(jì)上述存儲(chǔ)電容時(shí)，一方面，存儲(chǔ)電容越大，存儲(chǔ)電荷的能力越強(qiáng)，圖像采集能力越強(qiáng)；但是另一方面，存儲(chǔ)電容增大，意味著存儲(chǔ)電容的電極面積增大，在像素大小不變的情況下，存儲(chǔ)電容的電極與其他數(shù)據(jù)線之間的寄生電容就會(huì)增大，而寄生電容會(huì)影響數(shù)據(jù)線的輸出信號(hào)，導(dǎo)致信噪比比較差，如果為降低寄生電容增大像素面積，又會(huì)影響像素開口率，導(dǎo)致分辨率下降。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種平板探測(cè)器及其制作方法，以及設(shè)置有所述平板探測(cè)器的攝像裝置，可以在不影響像素開口率的情況下，增加存儲(chǔ)電容，提高圖像采集能力，從而有助于實(shí)現(xiàn)平板探測(cè)器的高分辨率。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

一種平板探測(cè)器，包括：基板；以及設(shè)置在所述基板上，用于將X射線轉(zhuǎn)換為電荷的轉(zhuǎn)化層和設(shè)置在所述轉(zhuǎn)化層之下的像素檢測(cè)元件；所述像素檢測(cè)元件包括：用于接收所述電荷的像素電極，存儲(chǔ)接收電荷的存儲(chǔ)電容，以及控制存儲(chǔ)電荷輸出的薄膜晶體管；所述存儲(chǔ)電容包括：

第一電極，包括：相對(duì)設(shè)置的上電極和下電極，且所述上電極與所述下電極電性連接；

第二電極，夾設(shè)在所述上電極和所述下電極之間；

所述上電極與所述第二電極之間，及所述第二電極與所述下電極之間均設(shè)置有絕緣層。

優(yōu)選地，所述上電極與所述下電極具有相同的圖形。

本發(fā)明的第一種實(shí)施方式中，所述下電極設(shè)置在所述基板上，所述下電極通過過孔與所述薄膜晶體管的源極相連。

所述平板探測(cè)器還包括：

覆蓋在所述薄膜晶體管上的第一鈍化層，

所述第二電極設(shè)置在所述第一鈍化層上。

所述平板探測(cè)器還包括：

覆蓋在所述第二電極之上的第二鈍化層，

所述上電極設(shè)置在所述第二鈍化層上，并通過所述第一鈍化層和所述第二鈍化層中的過孔與所述薄膜晶體管的源極相連。

本發(fā)明的第二種實(shí)施方式中，所述下電極設(shè)置在所述基板上；所述平板探測(cè)器還包括：

覆蓋在所述薄膜晶體管上的第一鈍化層，

所述第二電極設(shè)置在所述第一鈍化層上，所述第二電極通過過孔與所述薄膜晶體管的源極相連。

所述平板探測(cè)器，還包括：

覆蓋在所述第二電極之上的第二鈍化層，

所述上電極設(shè)置在所述第二鈍化層上，并通過過孔與所述下電極相連。

可選地，所述平板探測(cè)器還包括：

感光樹脂層，設(shè)置在所述上電極之上，

所述像素電極設(shè)置在所述感光樹脂層上，并經(jīng)所述感光樹脂層中的過孔連接至所述薄膜晶體管的源極。

可選地，所述薄膜晶體管包括：

柵金屬層，設(shè)置在基板上；

柵絕緣層，覆蓋在所述柵金屬層上；

有源層，設(shè)置在所述柵絕緣層上；

源漏金屬層，設(shè)置在所述有源層上。

本發(fā)明還提供一種攝像裝置，包括所述的任一平板探測(cè)器。

另一方面，本發(fā)明還提供一種平板探測(cè)器的制作方法，包括：

形成第一透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝形成所述下電極；

形成薄膜晶體管的柵金屬層、柵絕緣層、有源層和源漏金屬層；

形成第一鈍化層，并采用構(gòu)圖工藝在所述薄膜晶體管的源極對(duì)應(yīng)位置設(shè)置第一鈍化層過孔；

形成第二透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝在所述下電極的對(duì)應(yīng)位置形成第二電極；