[發明專利]具有側裝式換能器的集成的光電互連

有效

• 申請號: 201310024138.0
• 申請日: 2013-01-23
• 公開（公告）號: CN103311177A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 什姆埃爾·萊維;莎伊·拉法莉
• 申請（專利權）人: 梅蘭諾克斯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522;H01L27/146
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 周靖;鄭霞

1.一種用于制造光互連的方法，所述方法包括：

生產半導體晶片，所述半導體晶片包括多個第一管芯，每個第一管芯包括布置在所述晶片的表面上并連接到成行排列的導電通孔的電路；

通過跨越所述通孔的行剪切所述晶片而切割所述多個第一管芯，使得在每個第一管芯中，所剪切的通孔在垂直于所述表面的所述第一管芯的側面上形成相應的接觸盤；以及

將包括一個或多個光電換能器的第二半導體管芯附接到所述接觸盤，以便將所述換能器連接到所述電路。

2.根據權利要求1所述的方法，其中生產所述晶片包括在側接觸環中形成所述導電通孔，所述側接觸環包圍所述第一管芯，并且其中切割所述第一管芯包括沿每個第一管芯的所述側面暴露所述通孔的橫截面。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述接觸盤上布置金的金屬層。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述導電通孔包括鎦金穿透硅通孔（TSV）。

5.根據權利要求1所述的方法，其中附接所述第二半導體管芯包括將球狀突起布置在所述接觸盤上并熔化所述球狀突起。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括對著所述光電換能器形成集成的各個透鏡。

7.一種設備，包括：

第一半導體管芯，其包括連接到成行排列的布置在半導體晶片的表面上的導電通孔的電路，并且所述第一半導體管芯從所述晶片跨越一排所述通孔被剪切下來，使得所剪切的通孔在垂直于所述第一管芯的表面的所述第一管芯的側面上形成相應的接觸盤；以及

第二半導體管芯，其包括一個或多個光電換能器，且所述第二半導體管芯被附接到所述接觸盤上，以便將所述換能器連接到所述電路。

8.根據權利要求7所述的設備，其中所述導電通孔位于側接觸環中，所述側接觸環在所述第一管芯從所述晶片被剪切下來前包圍所述第一管芯，使得當所述第一管芯從所述晶片被剪切下來時所述通孔的橫截面沿所述第一管芯的所述側面暴露。

9.根據權利要求7所述的設備，還包括布置在所述接觸盤上的金的金屬層。

10.根據權利要求7所述的設備，其中所述導電通孔包括鎦金穿透硅通孔（TSV）。

11.根據權利要求7所述的設備，其中所述第二半導體管芯使用放置在所述接觸盤上并被熔化的球狀突起被附接到所述第一管芯。

12.根據權利要求7所述的設備，還包括對著所述光電換能器形成的相應的集成的透鏡。