[發明專利]一種用于發光二極管的透明導電薄膜

無效

• 申請號: 201310023731.3
• 申請日: 2013-01-23
• 公開（公告）號: CN103943749A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 王立彬;李寧寧
• 申請（專利權）人: 同方光電科技有限公司;同方股份有限公司
• 主分類號: H01L33/42
• 分類號: H01L33/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及光電技術領域，特別是用于發光二極管的透明導電薄膜。

背景技術

現有技術，在半導體制作工藝中，尤其是LED芯片技術中，通常在芯片外延片上按照一定的工藝沉積或濺射一定厚度的透明導電薄膜，透明導電薄膜普遍采用NiAu或者ITO。由于透明導電薄膜的導電性與透過率具有一定的矛盾，往往無法在獲得較好的正向電壓的同時再具有較好的芯片亮度。

發明內容

針對上述現有技術中存在的不足，本發明的目的是提供一種用于發光二極管的透明導電薄膜。它能在降低芯片正向電壓的同時有效提高芯片亮度。

????為了達到上述發明目的，本發明的技術方案以如下方式實現：

一種用于發光二極管的透明導電薄膜，它置于發光二級管外延片的上表面。其結構特點是，所述透明導電薄膜從下至上包括接觸層和主體層。接觸層的載流子濃度高于主體層的載流子濃度，接觸層的光吸收率高于主體層的光吸收率。

在上述透明導電薄膜中，所述透明導電薄膜采用ITO薄膜、NiAu薄膜或者ZnO薄膜。

在上述透明導電薄膜中，所述接觸層的厚度在0.1納米至100納米之間，主體層的厚度在10納米至10000納米之間。

本發明由于采用了上述結構，其中的接觸層由于載流子濃度高更易于與外延層形成歐姆接觸；同時主體層厚度比接觸層厚，光的吸收率小于接觸層；能在降低芯片正向電壓的同時有效提高芯片亮度。

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步說明。

附圖說明

圖1為本發明結構示意圖。

具體實施方式

參看圖1，本發明透明導電薄膜置于發光二級管外延片1的上表面。透明導電薄膜從下至上包括接觸層2和主體層3。接觸層2的載流子濃度高于主體層3的載流子濃度，接觸層2的光的吸收率高于主體層3的光的吸收率。接觸層2的厚度在0.1納米至100納米之間，主體層3的厚度在10納米至10000納米之間。透明導電薄膜采用ITO薄膜、NiAu薄膜或者ZnO薄膜。

本發明中的外延片1可以是GaN外延片，也可以是其他發光材料的外延片。透明導電薄膜可以是采用蒸鍍、濺射或者其他方法獲得。

另外，本發明透明導電薄膜除包含接觸層2、主體層3外，也可以含有其它層，如粗化層等。