[發(fā)明專利]大溫區(qū)低電阻率溫度系數(shù)薄膜材料及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310023361.3
• 申請(qǐng)日: 2013-01-22
• 公開（公告）號(hào): CN103060603A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹則賢;魯年鵬;紀(jì)愛玲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院物理研究所
• 主分類號(hào): C22C9/00
• 分類號(hào): C22C9/00;C23C14/34;C23C14/18
• 代理公司: 北京和信華成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11390
• 代理人: 胡劍輝

1.一種大溫區(qū)低電阻率溫度系數(shù)薄膜材料，其分子式為Cu₃NAg_x，其中，x為0.57～1.00。

2.一種大溫區(qū)低電阻率溫度系數(shù)薄膜材料的制備方法，包括如下步驟：

1）濺射陰極靶材選擇高純銅和高純銀，鍍有氧化硅層的硅片襯底分別在丙酮和酒精中超聲清洗20分鐘，氮?dú)獯蹈珊螅胖糜谡婵涨惑w沉積室的樣品臺(tái)上；

2）襯底與靶材之間的距離為50mm，當(dāng)本底真空度低于10^-4Pa時(shí)，通入氮?dú)猓{(diào)節(jié)工作氣壓為1.3Pa，電源功率為60W，先預(yù)濺射靶材30分鐘，然后移開擋板，濺射沉積薄膜；從而得到不同Ag組分摻雜的具有低電阻率溫度系數(shù)的薄膜材料。