[發明專利]ITO薄膜濺射工藝方法及ITO薄膜濺射設備

有效

• 申請號: 201310023126.6
• 申請日: 2013-01-22
• 公開（公告）號: CN103938164A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 耿波;葉華;文利輝;楊玉杰;夏威;王厚工;丁培軍
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成;黃德海

1.一種ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）將直流濺射電源的輸出電壓限制到所述直流濺射電源的額定電壓以下，且通過所述直流濺射電源對靶材施加預定功率；

2）向反應腔內通入工藝氣體，所述反應腔內的工藝氣體壓力設定為所述反應腔內的所述工藝氣體能夠啟輝的預定壓力，以使所述工藝氣體在所述反應腔內啟輝；和

3）將所述反應腔內的工藝氣體壓力降低到所述預定壓力以下且通過所述直流濺射電源對所述靶材施加濺射功率以進行濺射，所述濺射功率大于等于所述預定功率且小于等于所述濺射電源的額定功率。

2.根據權利要求1所述的ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，在步驟3）中解除對所述濺射電源的輸出電壓的限制。

3.根據權利要求1或2所述的ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，所述額定電壓為800V。

4.根據權利要求3所述的ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，所述輸出電壓被限制到300V。

5.根據權利要求3所述的ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，所述預定功率為600W。

6.根據權利要求5所述的ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，所述濺射功率為大于等于600W且小于等于2000W。

7.根據權利要求1所述的ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，所述預定壓力大于5毫托。

8.根據權利要求1所述的ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，所述預定壓力大于15毫托。

9.根據權利要求8所述的ITO薄膜濺射工藝方法，其特征在于，所述預定壓力為20毫托。

10.一種ITO薄膜濺射設備，其特征在于，包括：反應腔，所述反應腔包含頂壁、基片支撐部件和靶材，所述靶材設置于所述頂壁且與設在所述反應腔室底部的基片支撐部件相對，其特征在于，還包括直流濺射電源，所述直流濺射電源耦接于所述靶材，其中在啟輝階段所述直流濺射電源的輸出電壓被限制到所述直流濺射電源的額定電壓以下且對所述靶材施加預定功率，以使所述反應腔內的工藝氣體在預定壓力下在所述反應腔內啟輝，以及在啟輝后將所述反應腔內的工藝氣體壓力降低到所述預定壓力以下且所述直流濺射電源對所述靶材施加濺射功率以進行濺射，所述濺射功率大于等于所述預定功率且小于等于所述濺射電源的額定功率。

11.根據權利要求10所述的ITO薄膜濺射設備，其特征在于，在啟輝后所述直流濺射電源被解除對其輸出電壓的限制。

12.根據權利要求10或11所述的ITO薄膜濺射設備，其特征在于，所述額定電壓為800V。

13.根據權利要求12所述的ITO薄膜濺射設備，其特征在于，所述輸出電壓被限制到300V。

14.根據權利要求12所述的ITO薄膜濺射設備，其特征在于，所述預定功率為600W。

15.根據權利要求14所述的ITO薄膜濺射設備，其特征在于，所述濺射功率為大于等于600W且小于等于2000W。

16.根據權利要求10所述的ITO薄膜濺射設備，其特征在于，所述預定壓力大于5毫托。

17.根據權利要求10所述的ITO薄膜濺射設備，其特征在于，所述預定壓力大于15毫托。

18.根據權利要求17所述的ITO薄膜濺射設備，其特征在于，所述預定壓力為20毫托。