[發(fā)明專利]機(jī)械手和半導(dǎo)體設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310022780.5
• 申請日: 2013-01-21
• 公開（公告）號: CN103943545A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭金果;丁培軍;趙夢欣;王厚工
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;B25J9/08
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種機(jī)械手，其特征在于，包括：底板、支撐單元、第一調(diào)整單元和第二調(diào)整單元，所述支撐單元、所述第一調(diào)整單元和所述第二調(diào)整單元分別設(shè)置于所述底板上，所述第一調(diào)整單元位于所述底板一側(cè)的邊緣位置，所述第二調(diào)整單元位于所述底板上與所述第一調(diào)整單元相對的一側(cè)靠近邊緣的位置；

所述支撐單元用于支撐晶片，所述晶片位于所述第一調(diào)整單元和所述第二調(diào)整單元之間，且所述第一調(diào)整單元和所述第二調(diào)整單元用于在所述晶片偏離初始位置時將所述晶片調(diào)整至所述初始位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)械手，其特征在于，所述第一調(diào)整單元和所述晶片邊緣的接觸面的形狀與所述晶片的邊緣的形狀匹配，所述第二調(diào)整單元和所述晶片邊緣的接觸面的形狀與所述晶片的形狀匹配。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)械手，其特征在于，所述第一調(diào)整單元與所述晶片邊緣的接觸面的形狀為斜坡狀，所述第二調(diào)整單元與所述晶片邊緣的接觸面的形狀為斜坡狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的機(jī)械手，其特征在于，所述第一調(diào)整單元的坡面的傾斜角度大于或者等于70°且小于90°，所述第二調(diào)整單元的坡面的傾斜角度大于或者等于70°且小于90°。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的機(jī)械手，其特征在于，所述第一調(diào)整單元的坡面的粗糙度小于1.6且大于0，所述第二調(diào)整單元的坡面的粗糙度小于1.6且大于0。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)械手，其特征在于，所述第一調(diào)整單元和所述底板一體成型，所述第二調(diào)整單元和所述底板一體成型。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)械手，其特征在于，所述第一調(diào)整單元嵌入所述底板，所述第二調(diào)整單元嵌入所述底板。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)械手，其特征在于，所述支撐單元包括：第一支撐平臺和第二支撐平臺，所述第一支撐平臺靠近所述第一調(diào)整單元，所述第二支撐平臺靠近所述第二調(diào)整單元。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)械手，其特征在于，所述支撐單元還包括：支撐凸臺，所述支撐凸臺靠近所述底板的中間位置。

10.一種半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，包括：權(quán)利要求1至9任一所述的機(jī)械手。