[發(fā)明專利]對淺溝槽隔離區(qū)減少損害的半導(dǎo)體裝置制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310022757.6
• 申請日: 2013-01-22
• 公開（公告）號: CN103219276A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: H-J·瑟斯;B·巴哈
• 申請（專利權(quán)）人: 格羅方德半導(dǎo)體公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種在半導(dǎo)體基板上制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括：

選擇性植入摻質(zhì)離子以在該半導(dǎo)體基板中形成數(shù)個植入?yún)^(qū)；

在該半導(dǎo)體基板中形成數(shù)個溝槽；

以隔離材料填充該等溝槽；

建立與該半導(dǎo)體基板實質(zhì)共面的該隔離材料的上表面；以及

同時退火該等植入?yún)^(qū)及該隔離材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成該等溝槽于該半導(dǎo)體基板中、以該隔離材料填充該等溝槽以及建立與該半導(dǎo)體基板實質(zhì)共面的該隔離材料的該上表面包括：

在該半導(dǎo)體基板上沉積平坦化終止層；

蝕刻該平坦化終止層及該半導(dǎo)體基板，以在該半導(dǎo)體基板中形成該等溝槽；

沉積該隔離材料于該等溝槽中；

平坦化該隔離材料至該平坦化終止層；以及

執(zhí)行干式去釉工藝，以建立與該半導(dǎo)體基板實質(zhì)共面的該隔離材料的該上表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，沉積該平坦化終止層于該半導(dǎo)體基板上包括執(zhí)行化學(xué)氣相沉積法，以在該半導(dǎo)體基板上形成墊氮化物層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，執(zhí)行該干式去釉工藝包括自該平坦化終止層移除殘留氧化物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成該等溝槽于該半導(dǎo)體基板中、以該隔離材料填充該等溝槽以及建立與該半導(dǎo)體基板實質(zhì)共面的該隔離材料的該上表面包括：

在該半導(dǎo)體基板上沉積平坦化終止層；

蝕刻該平坦化終止層及該半導(dǎo)體基板，以在該半導(dǎo)體基板中形成該等溝槽；

沉積該隔離材料于該等溝槽中；

平坦化該隔離材料至該平坦化終止層；以及

執(zhí)行去釉工藝，以建立與該半導(dǎo)體基板實質(zhì)共面的該隔離材料的該上表面，其中，該去釉工藝是選自由下列所組成的群組：氫氟酸濕式蝕刻、等向性干式電漿蝕刻、或非等向性干式電漿蝕刻。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，同時退火該等植入?yún)^(qū)及該隔離材料包括：在由氧或氮組成的周遭環(huán)境中，以約650℃至約1050℃的溫度同時退火該等植入?yún)^(qū)及該隔離材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，更包括：

提供該半導(dǎo)體基板，其具有覆于半導(dǎo)體層上的墊氧化物層；以及

在同時退火該等植入?yún)^(qū)及該隔離材料后，自該半導(dǎo)體基板移除該墊氧化物層以及形成柵極絕緣層于該半導(dǎo)體層上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，更包括：

在選擇性植入摻質(zhì)離子之前，在該半導(dǎo)體基板上方形成植入掩模；以及

在選擇性植入摻質(zhì)離子之后，移除該植入掩模。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，建立與該半導(dǎo)體基板實質(zhì)共面的該隔離材料的該上表面包括：

平坦化該隔離材料；以及

移除該隔離材料的均勻數(shù)量，以建立與該半導(dǎo)體基板實質(zhì)共面的該隔離材料的該上表面。

10.一種在半導(dǎo)體基板上制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括：

沉積覆于該半導(dǎo)體基板上的平坦化終止層；

在該半導(dǎo)體基板中形成數(shù)個溝槽；

沉積隔離材料于該等溝槽中；

平坦化該隔離材料至該平坦化終止層；以及

移除該隔離材料的均勻部分，以建立與該半導(dǎo)體基板不相交的該隔離材料的上表面。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，更包括提供具有覆于半導(dǎo)體層上的墊氧化物層的該半導(dǎo)體基板。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，更包括在移除該隔離材料的該均勻部分后，自該半導(dǎo)體基板移除該墊氧化物層以及形成柵極絕緣層于該半導(dǎo)體層上。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，更包括：

在該半導(dǎo)體基板上方形成植入掩模；

選擇性植入摻質(zhì)離子，以在該半導(dǎo)體基板中形成數(shù)個阱植入?yún)^(qū)；以及

移除該植入掩模。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，更包括在由氧或氮組成的周遭環(huán)境中，以約950℃至約1050℃的溫度同時退火該等阱植入?yún)^(qū)及該隔離材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在該半導(dǎo)體基板上方沉積該平坦化終止層包括執(zhí)行化學(xué)氣相沉積法，以形成在該半導(dǎo)體基板上方的墊氮化物層。