[發明專利]一種有序硅納米線陣列的制備方法無效
| 申請號： | 201310022489.8 | 申請日： | 2013-01-08 |
| 公開（公告）號： | CN103112819A | 公開（公告）日： | 2013-05-22 |
| 發明（設計）人： | 左則文 | 申請（專利權）人： | 安徽師范大學 |
| 主分類號： | B82B3/00 | 分類號： | B82B3/00;B82Y40/00 |
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| 地址： | 241000*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 有序 納米 陣列 制備 方法 | ||
1.一種有序硅納米線的制備方法，其特征在于：該方法結合陽極氧化鋁模板與金屬輔助化學刻蝕，所述方法按如下步驟進行：
(1)硅片依次經丙酮、乙醇超聲及酸性清洗液清洗，并以稀氫氟酸溶液去除表面氧化層；
(2)利用等離子體增強化學沉積方法在清洗干凈的硅片表面沉積一層20-80nm的SiO2；
(3)采用熱蒸發或電子束蒸發在SiO2表面沉積一層厚度為200-500nm的Al膜；
(4)對Al膜進行陽極化，形成多孔氧化鋁AAO，并對AAO進行擴孔；
(5)以AAO為掩模，利用等離子體刻蝕在硅表面復制AAO的孔陣結構；
(6)去除硅表面的AAO及SiO2層；
(7)在圖形化的硅表面沉積20-50nm厚的Au(或Ag)膜；
(8)將沉積好Au膜的樣品浸入HF+H2O2的水溶液中腐蝕5-80分鐘。
(9)對制備好的樣品進行清洗、干燥處理。
2.根據權利要求1所述的硅納米線的制備方法，其特征在于：所述步驟4陽極電壓為40-80V，溶液為質量百分比濃度為5-20％的磷酸(或草酸)，陽極化時間3-10分鐘，擴孔溶液為5％磷酸，擴孔時間為20-60分鐘，溫度為10-25度。
3.根據權利要求1所述的硅納米線的制備方法，其特征在于：所述步驟5利用電感耦合等離子體刻蝕(ICP)或反應離子刻蝕(RIE)，氣體為Cl2/BCl3，刻蝕時間為4-10分鐘。
4.根據權利要求1所述的硅納米線的制備方法，其特征在于：所述步驟6采用25％磷酸在溫度為50-70度下去除氧化鋁模板，并采用2％一10％HF酸去除SiO2層。
5.根據權利要求1所述的硅納米線的制備方法，其特征在于：所述步驟7沉積方法為熱蒸發、磁控濺射或離子濺射。
6.根據權利要求1所述的硅納米線的制備方法，其特征在于：所述步驟8中腐蝕液為2-6M?HF加0.1-0.4M?H2O2溶液。
7.根據權利要求1所述的硅納米線的制備方法，其特征在于：所述步驟9采用稀釋的王水去除殘留的金，采用超臨界干燥，或冷凍干燥、自然干燥方法處理樣品。
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