[發明專利]氧化鋯電阻存儲器薄膜制備方法及其阻變特性的測試方法

有效

• 申請號: 201310022402.7
• 申請日: 2013-01-21
• 公開（公告）號: CN103094477A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 李穎;趙高揚;金龍
• 申請（專利權）人: 西安理工大學
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;G01R27/08;G01R31/00
• 代理公司: 西安弘理專利事務所 61214
• 代理人: 李娜

1.氧化鋯電阻存儲器薄膜制備方法，其特征在于：首先以氧化鋯溶膠為前驅液，以鋁酸鑭單晶基片的釔鋇銅氧超導薄膜為基板提拉氧化鋯薄膜，然后采用浸漬提拉法在超導電極上制得氧化鋯凝膠薄膜，再將其進行退火處理后自然冷卻，最后對其進行頂電極的濺射，即得到氧化鋯電阻存儲器薄膜。

2.根據權利要求1所述的氧化鋯電阻存儲器薄膜制備方法，其特征在于：所述氧化鋯溶膠是將正丁醇鋯、乙酰丙酮和無水乙醇以1:1:40-45的摩爾比混合，然后將混合液在磁力攪拌器上攪拌1-2h至溶液澄清，再將其密封好陳化20-24h得到，所述氧化鋯溶膠的制備在相對濕度不大于40%RH的手套箱中完成。

3.根據權利要求1或2所述的氧化鋯電阻存儲器薄膜制備方法，其特征在于：所述退火處理前將氧化鋯薄膜放置于空氣中自然干燥5-10min。

4.根據權利要求3所述的氧化鋯電阻存儲器薄膜制備方法，其特征在于：所述退火處理在500℃的退火爐中進行，所述退火處理的時間為15-20min。

5.根據權利要求4所述的氧化鋯電阻存儲器薄膜制備方法，其特征在于：所述頂電極的濺射在真空度為1×10^-3Pa的濺射儀中進行，濺射時間為10-15min，所述濺射儀中濺射靶材為鉑，純度為99.9%，所述濺射儀上設有帶有周期性直徑為2mm微孔的掩模板。

6.根據權利要求1～5任一所述的制備方法制備的氧化鋯電阻存儲器薄膜阻變特性的測試方法，其特征在于：其具體步驟如下：

步驟1，將氧化鋯電阻存儲器薄膜采用四根引線法進行連接，用金屬銦將引線與測試點進行連接，其中兩根引線連接頂電極鉑層其分離并獨立，另外兩根引線連接底電極釔鋇銅氧超導薄膜其分離并獨立；

步驟2，將連接有四根引線的氧化鋯電阻存儲器薄膜固定在樣品臺上，然后將其放入材料綜合物性測量儀中進行伏安特性曲線測試。

7.根據權利要求6所述的氧化鋯電阻存儲器薄膜阻變特性的測試方法，其特征在于：所述步驟1中引線采用金線，純度為99.9%。

8.根據權利要求6或7所述的氧化鋯電阻存儲器薄膜阻變特性的測試方法，其特征在于：所述步驟2中材料綜合物性測量儀設置為電學性能測試，即伏安特性模式，并且溫度以10K/min的降溫速度降至50K，溫度達到50K后保溫15min，然后后進行伏安特性曲線測試，電流保護限分別設為1-100mA。